[发明专利]堆栈存储器在审

专利信息
申请号: 201480028461.8 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN105431939A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 安相旭;郑喜灿;李龙云;李道永 申请(专利权)人: (株)赛丽康
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L25/16
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 瞿卫军;王朋飞
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 堆栈 存储器
【权利要求书】:

1.一种堆栈存储器,其特征在于,包括:

第一类型存储器单元,在第一基板上沿行方向和列方向以矩阵形式阵列;

第一数据转储线,传输向所述第一类型存储器单元输入和输出的数据,并共同地连接在所述第一类型存储器单元中的至少一个存储器单元上;

第二类型存储器单元,在第二基板上沿行方向和列方向以矩阵形式阵列;以及

第二数据转储线,传输向所述第二类型存储器单元输入和输出的数据,并共同地连接在所述第二类型存储器单元中的至少一个存储器单元上,

所述第一数据转储线与所述第二数据转储线电连接。

2.根据权利要求1所述的堆栈存储器,其特征在于,所述堆栈存储器还包括在所述第一基板和所述第一类型存储器单元之间或者所述第二基板和所述第二类型存储器单元之间形成的开关。

3.根据权利要求1或2所述的堆栈存储器,其特征在于,所述电连接是通过所述第一数据转储线的导电性物质和所述第二数据转储线的导电性物质的直接接触来实现。

4.根据权利要求1或2所述的堆栈存储器,其特征在于,所述电连接是通过面积大于形成所述第一数据转储线或者所述第二数据转储线的所述导电性物质的面积的导电性垫板来实现。

5.根据权利要求1或2所述的堆栈存储器,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板以多层结构叠层。

6.根据权利要求1或2所述的堆栈存储器,其特征在于,所述第一类型存储器单元或者所述第二类型存储器单元中的至少一个以上的存储器单元与所述第一数据转储线或者所述第二数据转储线之间增加开关元件。

7.根据权利要求1或2所述的堆栈存储器,其特征在于,所述第一类型存储器单元和所述第二类型存储器单元的大小不同。

8.根据权利要求1或2所述的堆栈存储器,其特征在于,所述第一类型存储器单元或者所述第二类型存储器单元中的其中一个存储器单元为非易失性或者易失性存储器单元。

9.根据权利要求1或2所述的堆栈存储器,其特征在于,包括:

第一位线,其位于所述第一基板上,与所述第一数据转储线无关地,单独将所述第一类型存储器单元向列方向连接;

第一字线,其位于所述第一基板上,与所述第一数据转储线无关地,单独将所述第一类型存储器单元向行方向连接;

第二位线,其属于所述第二基板,与所述第二数据转储线无关地,单独将所述第二类型存储器单元向列方向连接;以及

第二字线,其属于所述第二基板,与所述第二数据转储线无关地,单独将所述第二类型存储器单元向行方向连接。

10.一种堆栈存储器,其特征在于,包括:

第一基板,设置有沿行方向和列方向阵列的存储器单元、用于感应从所述存储器单元输出的数据的读出放大器以及用于驱动输入于所述存储器单元的数据的写入驱动器;

第二基板,设置有用于传输向所述存储器单元输入和输出的数据的输入输出电路,

所述第一基板和所述第二基板通过在所述第一基板上形成的第一数据转储线和在所述第二基板上形成的第二数据转储线来电连接。

11.根据权利要求10所述的堆栈存储器,其特征在于,所述电连接是通过所述第一数据转储线的导电性物质和所述第二数据转储线的导电性物质的直接接触来实现。

12.根据权利要求10所述的堆栈存储器,其特征在于,所述电连接是通过面积大于形成所述第一数据转储线或者所述第二数据转储线的所述导电性物质的面积的导电性垫板来实现。

13.根据权利要求10所述的堆栈存储器,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板以多层结构叠层。

14.根据权利要求10所述的堆栈存储器,其特征在于,所述存储器单元中的至少一个以上的存储器单元与所述第一数据转储线之间增加开关元件。

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