[发明专利]用于发光器件的叠层以及制备所述叠层的处理在审
申请号: | 201480054890.2 | 申请日: | 2014-10-07 |
公开(公告)号: | CN105684181A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 李荣盛;韩镇宇 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;刘春元 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 发光 器件 以及 制备 述叠层 处理 | ||
1.一种用于发光器件的叠层,包括:
玻璃衬底,具有从1.45到1.65的折射率n1;
由釉质制成的凸出的随机网络,形成在所述玻璃衬底上,所述网络具有范围从1.45到1.65的折射率n2;以及
由釉质制成的平坦层,形成在所述网络和所述玻璃衬底上,所述平坦层具有范围从1.8到2.1的折射率n3;
其中,至少50%,优选地至少75%并且更优选地至少85%的所述凸出示出具有如下的横截面:
范围从1μm到10μm的高度(b),优选地,所述凸出的最大高度小于15μm,以及
范围从2μm到40μm,优选地至多10μm的宽度;以及
其中,至少50%,优选地至少75%,并且更优选地至少85%的所述网络的间距(c)处于从2μm到15μm的范围中。
2.如权利要求1所述的叠层,其中,所述网络示出如下的粗糙度轮廓:Ra,其为范围从0.3μm到3μm,优选地0.3μm到1μm的粗糙度轮廓的算术均值偏差;Ry,其为范围从1μm到10μm的粗糙度轮廓的最大高度;以及S,其为范围从2μm到40μm,优选地2μm到20μm的局部峰的均值间隔。
3.如权利要求1或2所述的叠层,其中,所述凸出的平均高度(b')对于所述凸出的平均间距(c')的比率(r)是从0.1到0.5。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的叠层,其中,所述网络覆盖所述玻璃衬底的面积的比例是60%到90%。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的叠层,其中,所述凸出包括凸部和/或凸部簇。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的叠层,其中,所述网络和所述平坦层的平均总厚度(a')范围从6μm到20μm。
7.如权利要求1至6中的任一项所述的叠层,其中,所述平坦层的厚度(d)小于20μm。
8.如权利要求1至7中的任一项所述的叠层,其中,在所述平坦层的表面处测量的粗糙度Ra不大于1nm。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的叠层,其中,由第一玻璃釉料形成所述网络,并且所述第一玻璃釉料包括基于在形成所述网络之后所述第一玻璃釉料的总重量的按重量10%至40%的SiO2、按重量1%至7%的Al2O3、按重量0%至10%的P2O5、按重量20%至50%的B2O3、按重量3%至35%的ZnO以及按重量5%至20%的选择自由Na2O、Li2O和K2O构成的组的至少一个的(多个)碱金属氧化物。
10.如权利要求1至9中的任一项所述的叠层,其中,由第二玻璃釉料形成所述平坦层,并且所述第二玻璃釉料包括基于在形成所述平坦层之后所述第二玻璃釉料的总重量的按重量55%至84%的Bi2O3、按重量0%至20%的BaO、按重量5%至20%的ZnO、按重量1%至7%的Al2O3、按重量5%至15%的SiO2、按重量5%至20%的B2O3、按重量0至0.1%的CeO2、按重量0.05%至5%的Na2O以及按重量小于5%的选择自由TiO2、ZrO2、La2O3、Nb2O3和MgO构成的组的一个或多个化合物。
11.如权利要求1至10中的任一项所述的叠层,其中,所述玻璃衬底是碱石灰玻璃衬底。
12.如权利要求1至11中的任一项所述的叠层,其中,所述叠层示出至少70%的浑浊度比率以及至少65%的总发光透射率。
13.如权利要求1至12中的任一项所述的叠层,进一步包括:在所述平坦层上的透明电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择