[发明专利]超高性能内插器有效
申请号: | 201480055465.5 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN105684145B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | C·E·尤佐;孙卓文 | 申请(专利权)人: | 伊文萨思公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/14;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超高 性能 内插 | ||
1.一种用于微电子组件中的互连部件,所述互连部件包括:
半导体材料层,所述半导体材料层具有第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且在第一方向上与所述第一表面间隔开所述半导体材料层的厚度;
至少两个金属化通孔,每个所述金属化通孔延伸穿过所述半导体材料层,并且具有位于所述第一表面的第一端部和位于所述第二表面的第二端部,所述至少两个金属化通孔中的第一对在正交于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开;以及
所述半导体层中的第一绝缘通孔,所述第一绝缘通孔从所述第一表面朝所述第二表面延伸,所述第一绝缘通孔被定位成使得所述第一绝缘通孔的几何中心处于两个平面之间,所述两个平面正交于所述第二方向,并且通过所述至少两个金属化通孔中的所述第一对中的每一个,并且所述第一绝缘通孔的几何中心位于所述第一绝缘通孔内部;以及
电介质材料,所述电介质材料至少部分地填充所述第一绝缘通孔,或者至少部分地封闭所述第一绝缘通孔中的空隙,
其中所述第一绝缘通孔在垂直于所述第二方向的第三方向上具有宽度,所述宽度等于或者大于所述至少两个金属化通孔中的所述第一对之间的距离。
2.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔的内部体积的所有部分的导电率均不大于所述半导体材料层的导电率。
3.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔的内部体积的至少一部分是真空空隙或充气空隙。
4.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔的内部体积的至少一部分由介电常数小于2.0的电介质材料占据。
5.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔被定位成使得穿过所述第一对金属化通孔之间的理论线经过开口的几何中心。
6.根据权利要求5所述的互连部件,其中所述开口在垂直于所述第二方向的方向上具有长度,所述长度大于所述至少两个金属化通孔中的所述第一对之间的距离。
7.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔至少部分地围绕所述至少两个金属化通孔中的所述第一对中的一个金属化通孔。
8.根据权利要求7所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔连续地围绕至少一个所述金属化通孔的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔是所述半导体材料层中预定区域内的多个绝缘通孔中的一个,所述第一绝缘通孔被布置成至少部分地围绕所述金属化通孔中的至少一个。
10.根据权利要求9所述的互连部件,其中所述预定区域内的所述第一绝缘通孔是圆柱形的,并且被布置成至少一行,所述行大体在垂直于所述第二方向和所述第一方向的第三方向上延伸。
11.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔延伸穿过所述半导体材料层的整个厚度。
12.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述至少两个金属化通孔中的第二对在正交于所述第一方向的第三方向上彼此间隔开,所述互连部件还包括所述半导体层中的第二绝缘通孔,所述第二绝缘通孔被定位成使得所述第二绝缘通孔的几何中心处于两个平面之间,所述两个平面正交于所述第三方向,并且通过所述至少两个金属化通孔中的所述第二对中的每一个。
13.根据权利要求12所述的互连部件,其中所述第一对金属化通孔中的一个通孔包括在所述第二对金属化通孔中。
14.根据权利要求12所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔在平行于所述第一表面的截面中定义第一区域,所述第二绝缘通孔在平行于所述第一表面的截面中定义第二区域,所述第一区域比所述第二区域大。
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