[发明专利]电荷耦合元件及其制造方法、以及固体摄像装置

权利要求书

1.一种电荷耦合元件，其具备：

半导体基板，其具有排列于一个方向上的多个像素区域；以及

绝缘膜，其设置于所述半导体基板上；

该电荷耦合元件的特征在于：

各个像素区域具备：

光电转换区域，其对所入射的能量线进行光电转换；

倾斜电位形成构件，其在所述光电转换区域内形成促进沿着所述一个方向的电荷的传送的电位倾斜；

第一传送电极，其设置于所述绝缘膜上；

第二传送电极，其设置于所述绝缘膜上，且配置于所述第一传送电极与邻接于该像素区域的像素区域之间；

屏障区域，其位于所述半导体基板中的所述第一传送电极的正下方；以及

电荷储存区域，其位于所述半导体基板中的所述第二传送电极的正下方；并且，

所述屏障区域的杂质浓度低于所述电荷储存区域的杂质浓度；

所述第一传送电极与所述第二传送电极电连接。

2.如权利要求1所述的电荷耦合元件，其中，

所述第一传送电极及所述第二传送电极由1个共用电极构成。

3.如权利要求1或2所述的电荷耦合元件，其中，

在某像素区域中的所述电荷储存区域与邻接于该像素区域的后段的像素区域中的所述光电转换区域之间，形成有杂质浓度低于所述光电转换区域的电位障壁区域。

4.如权利要求1或2所述的电荷耦合元件，其中，

所述倾斜电位形成构件为位于所述光电转换区域的正上方且设置于所述绝缘膜上的电阻性栅极电极，在所述电阻性栅极电极的所述一个方向的两端间施加有特定的固定电压。

5.如权利要求3所述的电荷耦合元件，其中，

所述倾斜电位形成构件为位于所述光电转换区域的正上方且设置于所述绝缘膜上的电阻性栅极电极，在所述电阻性栅极电极的所述一个方向的两端间施加有特定的固定电压。

6.一种固体摄像装置，其特征在于，

具备：

如权利要求1～5中任一项所述的电荷耦合元件；

驱动电路，其驱动所述电荷耦合元件；以及

控制装置，其控制所述驱动电路，并且，

所述控制装置以所述第一及第二传送电极的电位同时上下振动的方式控制所述驱动电路。

7.一种电荷耦合元件的制造方法，其是制造权利要求2所述的电荷耦合元件的方法，该电荷耦合元件的制造方法的特征在于：

所述屏障区域是，通过将成为所述光电转换区域的杂质添加至所述半导体基板的表面之后，添加一部分与由添加而形成的半导体区域相反的导电型的杂质进行载流子补偿而形成的。