[发明专利]柔性电子基板

权利要求书

1.一种柔性电子基板FES，包括：

金属层，所述金属层具有介于5微米与200微米之间的厚度；

柔性介电纳米陶瓷层，所述柔性介电纳米陶瓷层至少部分地通过所述金属层的表面的氧化来形成，以及

电路，所述电路形成在所述介电层的表面上，

其中，所述柔性介电纳米陶瓷层具有由基本上等轴的晶粒构成的晶体结构，使得所述纳米陶瓷层不具有各向异性的机械性能，所述柔性介电纳米陶瓷层具有100纳米或更小的平均晶粒大小、介于1微米与50微米之间的厚度、大于20KV mm^-1的介电强度、以及大于3W/mK的导热率，所述FES具有低于20mm的最小弯曲半径。

2.根据权利要求1所述的FES，其中，所述金属层具有介于20微米与200微米之间的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的FES，所述FES具有低于10mm的最小弯曲半径。

4.根据权利要求1或2所述的FES，所述FES具有低于5mm的最小弯曲半径。

5.根据权利要求1或2所述的FES，所述FES具有介于2mm与5mm之间的最小弯曲半径。

6.根据权利要求1或2所述的FES，所述FES包括连接所述电路的部分与所述金属层的导电过孔。

7.根据权利要求1或2所述的FES，其中，第一柔性介电纳米陶瓷层形成在所述金属层的第一表面上，并且第二柔性介电纳米陶瓷层形成在所述金属层的第二表面上。

8.根据权利要求7所述的FES，其中，第一电路形成在所述第一柔性介电纳米陶瓷层的所述表面上，并且第二电路形成在所述第二柔性介电纳米陶瓷层的所述表面上。

9.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，所述金属层是从包括铝、镁、钛、锆、钽和铍，或者这些金属中的任意金属的合金或金属互化物的组中选择的材料。

10.根据权利要求1或2或8所述的FES，所述FES完全由无机材料形成。

11.根据权利要求1或2或8所述的FES，所述FES具有超过200℃的最大工作温度。

12.根据权利要求1或2或8所述的FES，所述FES具有超过250℃的最大工作温度。

13.根据权利要求1或2或8所述的FES，所述FES具有超过300℃的最大工作温度。

14.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，所述柔性介电纳米陶瓷层具有大于7的介电常数。

15.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，所述柔性介电纳米陶瓷层的厚度小于20微米。

16.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，所述柔性介电纳米陶瓷层的厚度小于10微米。

17.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，所述柔性介电纳米陶瓷层通过所述金属层在碱性胶体电解液中的电化学氧化来形成。

18.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，所述柔性介电纳米陶瓷层至少部分地通过所述金属层的表面在碱性电解质水溶液中的无火花氧化来形成。

19.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，所述柔性介电纳米陶瓷层基本上没有具有大于1微米的直径以及低于500纳米的平均孔隙大小的孔隙。

20.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，通过从包括丝网印刷术、导电油墨印刷、无电镀金属化、电镀金属化、金属箔的粘接、预制柔性电路的接合、金属溅射、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)金属化的列表中选择的工艺来形成所述电路。

21.根据权利要求1或2或8所述的FES，其中，用有机或无机材料浸渍所述柔性介电纳米陶瓷层的至少一部分。

22.根据述权利要求1或2或8所述的FES，其中，用聚酰亚胺、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、丙烯酸树脂或溶胶凝胶材料浸渍所述柔性介电纳米陶瓷层的至少一部分。

23.根据权利要求1或2或8所述的FES，所述FES还包括布置在所述电路上方的保护涂层。