[发明专利]形成具有侧壁衬垫的鳍状物结构的装置和方法

权利要求书

1.一种微电子器件结构，包括：

设置在衬底的一部分内的外延材料的第一部分；

设置成与电介质材料相邻的所述外延材料的第二部分，其中，衬垫材料设置在所述电介质材料和所述第二部分之间；

设置在所述第二部分上的所述外延材料的第三部分，其中，所述第三部分包括鳍状物器件结构；

设置在所述鳍状物器件结构上的栅极氧化物；以及

设置在所述栅极氧化物上的栅极材料。

2.如权利要求1所述的结构，其中，所述衬垫的一部分设置在所述硅衬底上、与所述外延材料相邻，并且在所述电介质材料和所述衬底之间。

3.如权利要求1所述的结构，其中，所述外延材料包括选自由III族元素、IV族元素和V族元素组成的组的材料。

4.如权利要求1所述的结构，其中，所述微电子器件包括选自由多栅极晶体管和栅极环绕晶体管组成的组的器件。

5.如权利要求1所述的结构，其中，与所述外延材料的所述第一部分界面连接的衬底包括至少一个(111)硅平面。

6.如权利要求1所述的结构，其中，所述衬垫直接设置在所述栅极氧化物上。

7.如权利要求1所述的结构，其中，所述衬垫材料与所述电介质材料在化学上不发生反应。

8.如权利要求1所述的结构，其中，所述鳍状物器件结构在所述电介质材料的表面上方延伸。

9.一种微电子器件结构，包括：

子鳍状物结构，其设置在衬底上，其中，所述子鳍状物结构包括外延材料，并且其中，所述子鳍状物结构的第一部分设置在所述衬底的一部分内，并且其中，所述子鳍状物结构的第二部分设置成与电介质材料相邻；

鳍状物器件结构，其设置在所述子鳍状物结构上，其中，所述鳍状物器件结构包括所述外延材料；以及

衬垫，其设置在所述子鳍状物结构的所述第二部分和所述电介质材料之间。

10.如权利要求9所述的结构，还包括：其中，所述外延材料包括选自由氮化镓、磷化铟、磷化铟铝和氮化铟镓组成的组的材料。

11.如权利要求9所述的结构，还包括：其中，所述衬垫材料选自由氮化硅、氮氧化硅、氧化铪和氧化铝组成的组，并且不包括与所述电介质材料相同的材料。

12.如权利要求9所述的结构，还包括：其中，所述衬垫包括低于大约100埃的厚度。

13.如权利要求9所述的结构，其中，所述鳍状物器件结构的一部分包括晶体管结构的沟道区，并且其中，源极/漏极区与所述沟道区耦合。

14.如权利要求13所述的结构，还包括：其中，栅极氧化物设置在所述沟道区上，并且其中，栅极材料设置在所述栅极氧化物上。

15.如权利要求9所述的结构，还包括：其中，所述硅衬底包括p型硅衬底。

16.如权利要求9所述的结构，还包括系统，所述系统包括：

通信芯片，其通信地耦合到所述微电子器件；以及

eDRAM，其通信地耦合到所述通信芯片。

17.如权利要求9所述的结构，还包括：其中，所述衬垫未设置在所述鳍状物器件结构上。

18.如权利要求9所述的结构，还包括：其中，所述衬垫的一部分设置在所述衬底和隔离材料之间。

19.一种形成微电子器件的方法，包括：

在设置在衬底上的隔离材料的开口中形成外延材料，所述外延材料包括：

设置在所述衬底的一部分内的第一部分；

设置成与所述隔离材料相邻的第二部分，其中，衬垫材料设置在所述隔离材料和所述第二部分之间；以及

设置在所述第二部分上的第三部分，其中，所述第三部分包括鳍状物器件结构；

在所述鳍状物器件结构的沟道区上形成栅极氧化物；以及

形成设置在所述栅极氧化物上的栅极材料。

20.如权利要求19所述的方法，还包括：其中，所述微电子器件包括选自由多栅极晶体管和栅极环绕晶体管组成的组的器件。