[发明专利]一种褶皱膜温度传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种褶皱膜温度传感器的制作方法，该方法包括：

在基片(1)上形成第一凹槽(2)，并且，所述基片在所述第一凹槽(2)周边的部分形成为台阶部(2a)；

形成至少覆盖所述第一凹槽(2)底部的牺牲层褶皱结构(4)，所述牺牲层褶皱结构(4)具有至少两个凹部(4a)和至少一个凸部(4b)；

在所述台阶部(2a)的表面以及所述牺牲层褶皱结构(4)的表面形成第一层介质层(5)；

形成第一层热电堆材料结构(6)以覆盖所述第一介质层(5)的表面，并且，所述第一层热电堆材料结构(6)具有使所述第一层介质层(5)的上表面的一部分露出的第二凹槽(7)；

形成第二层介质层结构(8)以覆盖所述第一层热电堆材料结构(6)以及所述第二凹槽(7)，并且，所述第二层介质层结构(8)具有使所述第一层热电堆材料结构(6)部分露出的第三凹槽(9)和第四凹槽(10)，所述第三凹槽(9)位于所述台阶部(2a)上方，所述第四凹槽(10)位于所述第二凹槽(7)的外侧；

形成第二层热电堆材料结构(11)以覆盖所述第二层介质层结构(8)和所述第四凹槽(10)，所述第二层热电堆材料结构(11)通过所述第四凹槽(10)与下方的所述第一层热电堆材料结构(6)连接，所述第二层热电堆材料结构(11)具有对应于所述第二凹槽(7)的第五凹槽(11b)，以露出所述第二凹槽(7)内的所述第二层介质层结构(8)；

形成第三层介质层结构(12)以覆盖所述第二层热电堆材料结构(11)和所述第五凹槽(11b)，所述第三层介质层结构(12)具有第六凹槽(13)和第七凹槽(14)，其中，所述第六凹槽(13)位于所述台阶部(2a)上方，且比所述第三凹槽(9)更远离所述第一凹槽(2)，所述第二层热电堆材料结构(11)从所述第六凹槽(13)露出，所述第七凹槽(14)位于所述第二凹槽(7)的上方，且所述第二凹槽(7)内的所述第二层介质层结构(8)的一部分通过所述第七凹槽(14)露出；

通过所述第七凹槽(14)刻蚀所述第二层介质层结构(8)和所述第一层介质层(5)，形成释放孔(14a)；

经由所述释放孔(14a)去除所述牺牲层褶皱结构(4)，形成空腔(15)。

2.如权利要求1所述的褶皱膜温度传感器的制作方法，其中，

所述第一层热电堆材料结构(6)具有相邻的至少两个，所述第二层热电堆材料结构(11)具有相邻的至少两个，并且，所述第二层热电堆材料结构(11)与相邻的所述第一层热电堆材料结构(6)经由所述第三凹槽(9)连接，以形成串联的热偶对。

3.如权利要求1所述的褶皱膜温度传感器的制作方法，其中，

所述凹部(4a)在垂直于所述基片(1)表面的方向上的深度彼此相同或不同，

所述凹部(4a)在平行于所述基片(1)表面的方向上的宽度彼此相同或不同。

4.如权利要求1所述的褶皱膜温度传感器的制作方法，其中，

在形成所述释放孔(14a)之前，在所述第三层介质层结构(12)表面形成位于所述第七凹槽(14)周围的红外吸收层结构(16)。

5.如权利要求1所述的褶皱膜温度传感器的制作方法，其中，

所述第一层热电堆材料结构和所述第二层热电堆材料结构分别是掺杂多晶硅、锑(Sb)及其化合物、铋(Bi)及其化合物、钛(Ti)及其化合物、钽(Ta)及其化合物、铝(Al)和金(Au)中的一种；

并且，所述第一层热电堆材料结构和所述第二层热电堆材料结构具有不同的塞贝克系数。