[发明专利]两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料及其制备工艺

权利要求书

1.一种两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，包括A料和B料，其特征在于，所述A料由如下质量份数的原料制成：

高密度聚乙烯60-65份、线性低密度聚乙烯40-45份、低密度聚乙烯15-20份、纳米陶瓷粉10-12份、聚乙二醇10-12份、玻璃纤维8-10份、聚氯乙烯8-10份、硅烷偶联剂5-8份、三氧化二锑5-8份、蒙脱土4-6份、抗氧剂3-5份、紫外线吸收剂3-5份、抗回缩剂2-5份、阻燃剂2-3份、聚乙烯蜡1-2份、N-取代马来酰亚胺0.1-0.5份。

所述B料由如下质量份数的原料制成：

高密度聚乙烯55-60份、线性低密度聚乙烯35-40份、低密度聚乙烯15-20份、炭黑母料12-15份、硅藻土5-8份、聚乙烯醇3-5份、二甲基硅油3-5份。

2.根据权利要求1所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，其特征在于：所述纳米陶瓷粉的粒径为80-100纳米。

3.根据权利要求1所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，其特征在于：所述硅烷偶联剂选自甲基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基甲基二乙氧基硅烷中的一种。

4.根据权利要求1所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，其特征在于：所述抗氧剂由抗氧剂1010和抗氧剂168组成，两者质量比为1：1。

5.根据权利要求1所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，其特征在于：所述紫外线吸收剂为紫外线吸收剂UV-531。

6.根据权利要求1所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，其特征在于：所述抗回缩剂选自一种高流动性的聚烯烃弹性体，熔体流动速率大于10g/10min。

7.根据权利要求1所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料，其特征在于：所述阻燃剂选自氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌和聚磷酸铵中的一种。

8.一种两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料的制备工艺，其特征在于，包括下列步骤：

(1)先将A料中的蒙脱土和聚乙二醇加入到砂磨机中，砂磨15-20min后再加入聚乙烯蜡和阻燃剂，继续砂磨至细度小于10um，即得混合粉末I；

(2)将混合粉末I加入到高速混合机中，然后加入纳米陶瓷粉、玻璃纤维、三氧化二锑、紫外线吸收剂、抗回缩剂和N-取代马来酰亚胺，于500r/min下混合10-15min，即得混合粉末II；

(3)先将A料中的高密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯和低密度聚乙烯经失重称量后由真空系统吸入原料仓，再送入烘干机进行干燥，然后将其加入挤出机中，升温至160℃后加入抗氧剂，随后加入硅烷偶联剂、聚氯乙烯和混合粉末II，通过螺杆均匀混合，混合后的熔体经挤出机挤出；

(4)挤出后的A料进入造粒机进行造粒，造粒工序中切割采用水下切割，同时进行水冷，水冷后的物料经干燥后真空出料，最后采用铝塑复合袋进行真空包装，即得绝缘A料；

(5)将B料中的炭黑母料、硅藻土、聚乙烯醇和二甲基硅油加入到高速混合机中，于500r/min下混合10-15min，然后加入到砂磨机中，砂磨至细度小于10um，即得混合粉末III；

(6)将B料中的高密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯和混合粉末III经失重称量后由真空系统吸入各原料仓，按比例于常温下混合均匀，混合完成后通过真空出料，最后采用铝塑复合袋进行真空包装，即得绝缘B料。

9.根据权利要求8所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料的制备工艺，其特征在于：所述步骤(3)中的干燥温度为70-80℃，干燥时间为1-2h。

10.根据权利要求8所述的两步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料的制备工艺，其特征在于：所述步骤(3)中的挤出机机身温度为150-200℃，机头温度为200-220℃。