[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

图1为现有技术中显示基板的干扰电场影响液晶分子偏转的示意图，图2为图1所示显示基板的漏光区域的结构示意图。如图1和图2所示，所述显示基板内设置有扫描线101，所述扫描线101所带电荷产生的电场103会对液晶显示装置的液晶分子102形成干扰，导致所述液晶分子102的偏转方向发生改变，从而在显示区域104之外出现漏光区域105。现有技术通过设置黑矩阵来遮挡上述漏光区域，然而，所述黑矩阵的使用降低了液晶显示装置的开口率。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术设置黑矩阵遮挡漏光区域降低了显示装置的开口率的问题。

为此，本发明提供一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、扫描线、数据线以及电场屏蔽层，所述电场屏蔽层设置在所述扫描线和/或所述数据线的上方；

所述电场屏蔽层用于屏蔽与所述电场屏蔽层对应的扫描线和/或数据线的电场。

可选的，还包括像素电极，所述像素电极与所述电场屏蔽层同层设置，所述像素电极与所述电场屏蔽层施加相同的电压。

可选的，所述像素电极与所述电场屏蔽层电连接。

可选的，还包括公共电极，所述公共电极与所述电场屏蔽层同层设置，所述公共电极与所述电场屏蔽层施加相同的电压。

可选的，所述公共电极与所述电场屏蔽层电连接。

可选的，所述电场屏蔽层的构成材料包括透明导电材料。

可选的，所述电场屏蔽层的厚度范围包括0.04μm至1μm。

可选的，所述电场屏蔽层的厚度为0.2μm。

本发明还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。

本发明还提供一种显示基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管、扫描线以及数据线；

在所述扫描线和/或所述数据线的上方形成电场屏蔽层，所述电场屏蔽层用于屏蔽与所述电场屏蔽层对应的扫描线和/或数据线的电场。

可选的，所述在所述扫描线和/或所述数据线的上方形成电场屏蔽层的步骤包括：

在所述扫描线和/或所述数据线的上方形成电场屏蔽层和像素电极，所述像素电极与所述电场屏蔽层同层设置，所述像素电极与所述电场屏蔽层施加相同的电压。

可选的，所述在所述扫描线和/或所述数据线的上方形成电场屏蔽层的步骤包括：

在所述扫描线和/或所述数据线的上方形成电场屏蔽层和公共电极，所述公共电极与所述电场屏蔽层同层设置，所述公共电极与所述电场屏蔽层施加相同的电压。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的显示基板及其制备方法、显示装置中，所述显示基板包括薄膜晶体管、扫描线、数据线以及电场屏蔽层，所述电场屏蔽层设置在所述扫描线和/或所述数据线的上方，所述电场屏蔽层用于屏蔽与所述电场屏蔽层对应的扫描线和/或数据线的电场。本发明提供的电场屏蔽层减少或消除了干扰电场，避免出现漏光区域，从而减少了黑矩阵的使用，提高了显示装置的开口率。

附图说明

图1为现有技术中显示基板的干扰电场影响液晶分子偏转的示意图；

图2为图1所示显示基板的漏光区域的结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；

图4为实施例一中电场屏蔽层屏蔽干扰电场的示意图；

图5为实施例一中显示基板的无漏光区域的结构示意图；

图6为本发明实施例二提供的一种显示基板的结构示意图；

图7为本发明实施例四提供的一种显示基板的制备方法的流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制备方法、显示装置进行详细描述。

实施例一

下面对本实施例提供的显示基板进行详细描述，需要说明的是，本实施例只针对ADS模式的显示基板进行描述，但是其它显示模式，例如，TN模式、VA模式或IPS模式的显示基板也属于本发明的保护范围。