[发明专利]一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法

权利要求书

1.一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其特征是，包括如下步骤：

步骤1：在用于制作纳米栅条的样品表面匀电子束光刻胶，利用电子束光刻机曝光，形成栅凹槽腐蚀掩膜图形；

步骤2：配制栅凹槽腐蚀液；

步骤3：将以上电子束光刻后的样品裂分成多个小样品，并使用配制的腐蚀液对小样品进行腐蚀，每个小样品设定不同的腐蚀时间；

步骤4：去除样品表面的电子束光刻胶掩膜层；

步骤5：利用原子力显微镜测试各个小样品凹槽腐蚀深度；利用扫描电子显微镜观察在不同腐蚀时间各小样品的不同栅长下的栅凹槽表面腐蚀形貌结构即平整度；

步骤6：根据样品给定的外延层材料种类与厚度，初步确定希望腐蚀的深度，分析原子力显微镜对不同样品进行腐蚀深度测试结果，找出相应腐蚀深度相近的样品，通过扫描电子显微镜检测原子力显微镜所找出对应样品的对应栅长的凹槽腐蚀的平整度，表面腐蚀平滑的样品确定为腐蚀质量最好的样品，即为对应栅长希望腐蚀深度下的最佳腐蚀条件。

2.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其特征是，步骤1具体为：先将需要腐蚀的样品匀电子束光刻胶，匀胶的厚度通过匀胶机的转速来调节，再对所匀胶进行热板烘烤处理，然后进行自对准电子束曝光、显影和定影后，形成需要腐蚀的栅条掩膜结构。

3.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其特征是，步骤2具体为：柠檬酸溶液的配制方法是按照1克柠檬酸粉末与1mL去离子水配制柠檬酸溶液；栅凹槽腐蚀液的配制方法是柠檬酸：双氧水＝1:1，溶液混合均匀供栅凹槽腐蚀使用。

4.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其特征是，步骤3中，每个小样品上都包含多个待腐蚀的不同栅长阵列。

5.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其特征是，步骤3中，第一个小样品的腐蚀时间的确定是针对需要腐蚀的材料厚度，参考在相应腐蚀液对该材料的腐蚀速率确定第一个小样品的腐蚀时间，其次对剩余小样品的腐蚀时间按其编号依次呈等差方式递增。

6.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其特征是，步骤6具体为：先通过原子力显微镜对各小样品对应不同栅长的栅凹槽腐蚀深度进行汇总，将达到预期腐蚀深度的样品初步确定为最佳样品，；对初步确定的最佳样品再通过扫描电子显微镜对最佳腐蚀深度的小样品的不同栅长凹槽腐蚀的表面质量进行观察，判断不同栅长的最佳小样品的栅凹槽腐蚀表面是否满足平整度要求；选取表面腐蚀较平整的小样品所对应的腐蚀时间为该栅长腐蚀的最佳腐蚀时间。