[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

第1导电型的第1半导体区域、元件区域、包围所述元件区域的终端区域、及与所述第1半导体区域电连接的第2电极，

所述元件区域包括：

第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，在第1方向上延伸，且在对所述第1方向正交的第2方向上设置有多个；

第2导电型的第3半导体区域，设置在所述第2半导体区域上；

第1导电型的第4半导体区域，选择性地设置在所述第3半导体区域上；

栅极电极，隔着第1绝缘膜，而与所述第1半导体区域、所述第3半导体区域、及所述第4半导体区域相邻；及

第1电极，与所述第4半导体区域电连接；

所述终端区域包括：

第2导电型的第5半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，且在所述第2方向上设置有多个；及

第2导电型的第6半导体区域，设置在所述第1半导体区域与所述第5半导体区域之间，且具有比所述第5半导体区域的第2导电型的杂质浓度高的第2导电型的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第2方向上的所述第5半导体区域的宽度、及所述第6半导体区域的宽度之和大于所述第2方向上的所述第2半导体区域的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：相邻的所述第6半导体区域之间的所述第2方向上的距离与相邻的所述第2半导体区域之间的所述第2方向上的距离相等。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

第1步骤，在第1导电型的半导体衬底上，在第1方向上排列形成多个沟槽，且第1区域中所形成的沟槽的所述第1方向上的宽度短于包围所述第1区域的第2区域中的沟槽的所述第1方向上的宽度；

第2步骤，通过使第2导电型的半导体材料在所述半导体衬底上进行沉积，而将所述第1区域中形成的所述沟槽嵌入，并且在形成于所述第2区域中的所述沟槽的内壁形成第1半导体层；及

第3步骤，通过使非掺杂的半导体材料在所述半导体衬底上进行沉积，而在形成有所述第1半导体层的所述沟槽内形成非掺杂的第2半导体层。