[发明专利]微流控芯片的复型模具制作以及它的微流控芯片检测系统制备

权利要求书

1.一种微流控芯片电泳非接触式电导检测系统的制作方法，包括以下制备步骤：

(1)贴膜和压膜：在非曝光的条件下，将感光性干膜贴合于经过清洗干燥的基片上，通过塑封机使两者紧密结合；

(2)曝光：将光刻掩膜紧贴于感光性干膜上，通过曝光，则光刻掩膜图案所透射的光使其下面的感光性干膜变性；

(3)显影：通过显影液对感光性干膜进行显影，使得光刻掩膜图案以外的感光性干膜部分将被清洗掉，清洗残留的显影液并干燥，得到所需的微流控芯片复形模具；

(4)制作微芯片通道盖板：取液态高分子聚合物浇注所述的微流控芯片复形模具上，加热，待液态高聚物充分固化后，与模具剥离，即得到有内凹通道的微流控芯片通道盖板；

(5)清洗薄膜电极板：用碱液清洗导电薄膜电极的基底后用超纯水清洗残留溶液并干燥；

(6)封接芯片：用氧等离子体处理微流控芯片通道盖板表面；将微流控芯片通道盖板有凹口的一面与所述的导电薄膜电极的基底无薄膜电极的一侧封接，制得所需要的微流控芯片系统；

所述导电薄膜电极是在电绝缘层基底上设有导电薄膜；即将贵金属薄膜通过电沉积技术溅射/蒸发沉积在高聚物基底上，后使用光刻和技术对其进行图案化，即得到所需图形的微电极；或是按下述制备方法制备得到：

(1)贴膜和压膜：在非曝光的条件下，将光敏材料涂布或贴合在导电膜层上；通过塑封机使光敏材料和导电薄膜紧密贴合；

(2)曝光：将光刻掩膜紧贴于光敏材料上，曝光，则光刻掩膜图案所透射的光使其下面的光敏材料变性；

(3)显影：采用显影液对光敏材料进行显影，光刻掩膜图案以外的光敏材料部分被清洗掉；清洗残留的显影液；

(4)刻蚀：将显影后的材料放入刻蚀液中对导电薄膜进行化学刻蚀，光敏材料所覆盖图案以外的导电薄膜部分被蚀刻掉；清洗残留的刻蚀液；

去除光敏材料：将刻蚀后所得的光敏材料-导电薄膜材料放入可去除光敏材料的溶液中，显影的光敏材料被去除掉；最后清洗残留的溶液并干燥，得到所需的导电薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基片为玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯塑料或聚甲基丙烯酸甲酯。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述感光性干膜为抗蚀刻干膜或为溶剂型干膜或水溶性干膜。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述感光性干膜为杜邦系列干膜、旭化成干膜、日立干膜、长兴干膜、任知干膜或鸿瑞干膜。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光刻掩膜为菲林片或玻璃感光片制成；掩膜图案由图形处理软件绘制得到。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制作方法，其特征在于，通过重复步骤(1)和步骤(2)，从而获得具有多层结构的微流控芯片基片模具。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，(1)贴膜和压膜：先对基片进行预处理，即采用超纯水超声清洗基片，并放入烘箱烘干；

去除感光性干膜外层的保护膜，然后于暗室红灯下将感光性干膜与基片贴合。将贴好干膜的基片放入保护壳中，缓慢通过塑封机数次，使感光性干膜和基片紧密贴合；

(2)曝光：将光刻掩膜紧贴于干膜上，然后放入曝光仪器中曝光，光刻掩膜图案所透射的光使其下面的感光性干膜变性；

(3)显影：移去光刻掩膜和感光性干膜表面所剩的另外一层保护膜，使用显影液对感光性干膜进行显影，光刻掩膜图案以外的感光性干膜部分将被清洗掉，最后清洗残留的显影液并吹干，得到所需的复形模具。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底为PDMS、PMMA、PET、PC或COC。