[发明专利]3D闪存的制造方法

权利要求书

1.一种3D闪存的制造方法，其特征在于，包括步骤：

步骤一：提供基底，所述基底上设有存储单元；

步骤二：依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层覆盖所述基底的上表面以及存储单元的侧壁和表面；

步骤三：刻蚀所述第三介质层，暴露出部分第二介质层，仅保留位于所述存储单元的侧壁上的第三介质层；

步骤四：重复步骤二依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层覆盖步骤三中暴露出的第二介质层上；

步骤五：依次重复步骤三和步骤四，直至形成若干层第一介质层、第二介质层和第三介质层；

步骤六：对所述若干层第一介质层、第二介质层和第三介质层进行化学机械平坦化；

步骤七：形成沟道及通孔连线。

2.如权利要求1所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，所述第一介质层材质为氧化硅。

3.如权利要求1所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，所述第二介质层材质为氮化硅。

4.如权利要求1所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，所述第三介质层材质为氧化硅。

5.如权利要求4所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，字线之间的间距由所述第三介质层的厚度控制。

6.如权利要求1所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第三介质层采用的工艺为干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，形成所述沟道的步骤包括：

采用刻蚀依次刻蚀若干层第一介质层、第二介质层和第三介质层，以形成沟槽；

在所述沟槽内填充材料，形成沟道。

8.如权利要求1所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，形成所述通孔连线的步骤包括：

刻蚀去除所述第二介质层，形成通孔；

在所述通孔中填充金属，形成通孔连线。

9.如权利要求8所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述第二介质层。

10.如权利要求9所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，所述通孔连线的材质为铜、铝或钨。

11.如权利要求1所述的3D闪存的制造方法，其特征在于，在形成所述通孔连线后，还形成金属层，所述金属层与所述通孔连线相连。