[发明专利]一种TEM样品制备方法有效
申请号: | 201510144200.9 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN104697836B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 陈强 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种TEM样品制备方法,其特征在于,包括:
步骤S1、提供硅衬底,并在所述硅衬底上确认至少两个薄厚程度不同的制样区域;
步骤S2、在各制样区域的上表面沉积相同厚度的保护层;
步骤S3、在各制样区域对应的保护层的上表面沉积不同预设厚度的厚度调节层;
步骤S4、重复实施步骤S3,直至各所述厚度调节层符合要求;
步骤S5、对所述TEM样品进行离子束减薄;
步骤S6、在所述硅衬底上对所述减薄后的TEM样品进行切割工艺,并提取出TEM样品。
2.根据权利要求1所述的TEM样品制备方法,其特征在于,所述保护层的材质为金属,采用平面聚焦离子束的方法制备所述保护层。
3.根据权利要求2所述的TEM样品制备方法,其特征在于,采用Pt或者W作为金属源进行所述保护层的沉积工艺。
4.根据权利要求2所述的TEM样品制备方法,其特征在于,所述厚度调节层与所述保护层的材质相同。
5.根据权利要求4所述的TEM样品制备方法,其特征在于,采用平面聚焦离子束的方法制备所述厚度调节层。
6.根据权利要求1所述的TEM样品制备方法,其特征在于,在电压为30kv的条件下,采用电流为50pA~1000pA的Ga离子束,于聚焦离子束设备中进行TEM样品的切割工艺。
7.根据权利要求1~6任一所述的TEM样品制备方法,其特征在于,所述保护层的厚度范围为100~1000nm。
8.根据权利要求1~6任一所述的TEM样品制备方法,其特征在于,所述厚度调节层的厚度范围为100nm~1000nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510144200.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。