[发明专利]一种应用于高阻抗电流源负载差模放大电路的高增益共模反馈回路有效
申请号: | 201510156531.4 | 申请日: | 2015-04-03 |
公开(公告)号: | CN104779930B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 周军 | 申请(专利权)人: | 成都振芯科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 阻抗 电流 负载 放大 电路 增益 反馈 回路 | ||
1.一种应用于高阻抗电流源负载差模放大电路的高增益电阻取平均共模反馈回路,它包括两级高增益放大电路和一级RC滤波电路,其特征在于:它包括共模信号取样电路、参考电压源、第一级差分比较放大电路和第二级放大驱动电路;
所述的共模信号取样电路为电阻平均取样电路,它由第一电阻R1、第二电阻R2以及密勒反馈电容C0组成,电阻R1和电阻R2的一端分别与高阻抗电流源负载差模放大电路的差分输出端的Voutput_N端和Voutput_P端连接,电阻R1和电阻R2的另一端相连后作为取样电路的输出端输出取样信号;且电阻R1和电阻R2的另一端与所述密勒反馈电容C0一端相连;所述的密勒反馈电容C0的另一端与第三MOS管M3的栅极相连;
所述的第一级差分比较放大电路由第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9和第十MOS管M10组成,第五MOS管M5、第六MOS管M6为第一级差分比较放大电路的差分放大对管,取样电路的输出端与第六MOS管M6的栅极连接,第五MOS管M5的输出端即漏极与第二级放大驱动电路的第三MOS管M3、第四MOS管M4的栅极相连,第五MOS管M5的栅极与参考电压源连接,第七MOS管M7、第八MOS管M8构成镜像电流电路,第八MOS管M8的栅极与漏极互联后与参考电流源连接,第七MOS管M7为高阻抗电流源负载差模放大电路的尾电流源,第五MOS管M5、第六MOS管M6的源极与第七MOS管M7的漏极相连,第七MOS管M7的栅极与第八MOS管的栅极相连;第九MOS管M9和第十MOS管M10为第一级差分比较放大电路的镜像电流源负载,将差分信号转换为单端信号;第七MOS管M7的源极和第八MOS管M8的源极接高电平,第九MOS管M9、第十MOS管M10的漏极分别与第六MOS管M6、第五MOS管M5的漏极相连,第九MOS管M9、第十MOS管M10的栅极相连后与第九MOS管M9的漏极相连,第九MOS管M9、第十MOS管M10的源极相连后作为第一级差分比较放大电路的输出端 ;所述的第二级放大驱动电路由第三MOS管M3、第四MOS管M4第一负载电容CLOAD1、第二负载电容CLOAD2、第一MOS管M1和第二MOS管M2组成,第三MOS管M3和第四MOS管M4为第二级放大驱动电路的电流源负载,第三MOS管M3和第四MOS管M4的栅极相连后与第一级差分比较放大电路的第五MOS管M5的漏极连接,第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极与地连接,第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极分别与第二级放大驱动电路的差分放大对管第一MOS管M1和第二MOS管M2的漏极连接,高阻抗电流源负载差模放大电路的输出端Voutput_N端和Voutput_P端还分别与第一负载电容CLOAD1和第二负载电容CLOAD2的一端连接,第一负载电容CLOAD1和第二负载电容CLOAD2的另一端与地连接,第一MOS管M1和第二MOS管M2的源极接高电平,第一MOS管M1和第二MOS管M2的栅极分别接高阻抗电流源负载差模放大电路的输入端Vinput_p端和Vinput_N端;第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极分别作为高阻抗电流源负载差模放大电路的输出端的Voutput_N端和Voutput_P端。
2.根据权利要求1所述的一种应用于高阻抗电流源负载差模放大电路的高增益电阻取平均共模反馈回路,其特征在于:它适用于不带尾电流源的高阻抗电流源负载伪差分式差模放大电路,也适用于带尾电流源的高阻抗电流源负载差分式差模放大电路。
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