[发明专利]一种多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料及其制备方法有效
申请号: | 201510168807.0 | 申请日: | 2015-04-08 |
公开(公告)号: | CN104876450B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 李新勇;熊巍;肇启东 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 cofe sub 纳米 阵列 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料及其制备方法,属于催化材料和纳米材料制备技术领域,特别涉及到具有多孔结构的CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料的制备方法。
背景技术
一维纳米材料由于其形状的各向异性,具有更高的比表面积,更好的空间电荷分离效率,在各种传感器、微电极、器件集成连接线等方面具有极高的影响力和重要地位,以至成为近年来纳米材料研究的热点。尖晶石型复合金属氧化物是一类比较重要的复合金属氧化物,其中CoFe2O4具有高矫顽力和光催化活性,目前已有很多科研工作者利用溶胶凝胶法、模板法、以及水热法制备CoFe2O4纳米线或纳米管等结构。Ji(GuangbinJi,Shaolong Tang,Baolong Xu,Benxi Gu,Youwei Du,Chemical Physics Letters,2003,379,484–489)利用溶胶凝胶法制备了纳米线,Keller(N Keller,C Pham-Huu,T Shiga,C Estournès,J.-M Grenèche,M.J Ledoux,Journal of Magnetism and Magnetic Materials,2004,272–276,1642–1644)利用多层碳纳米管为模板制备了CoFe2O4纳米线,Xu(Yan Xu,Jie Wei,Jinli Yao,Junli Fu,DeshengXue,Materials Letters,2008,62,1403–1405)利用阳极氧化铝为模板制备了CoFe2O4纳米管并讨论了其铁磁性。但是以钴氧化物作为模板通过模板法合成多孔CoFe2O4纳米棒的一维材料鲜有报道。
发明内容
本发明要解决的技术问题是一种制备多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜的方法。具体是利用水热反应和液相反应,通过模板法和液相反应后煅烧得到多孔CoFe2O4纳米棒阵列,组成阵列的纳米棒长度约为1.5~3μm。所用原材料廉价易得,操作简易,制备方法简单,易于控制,设备要求低,是一种环保的制备方法。
一种多孔CoFe2O4纳米棒阵列薄膜材料,包括CoFe2O4纳米棒和基底;CoFe2O4纳米棒为多孔结构,其紧密地生长在基底上,CoFe2O4纳米棒的直径为70~130nm,长度为1.5~3μm;基底材质为具有支撑功能的片状结构的导电或不导电材料,包括玻璃片、掺杂氟的SnO2透明导电玻璃或金属片。
本发明的技术方案如下:
1)基底的预处理:配制丙酮溶液和异丙醇溶液混合溶液,将基底放置其中,超声处理,晾干,备用;所述的基底为具有支撑功能的片状结构的导电或不导电材料;
2)水热反应与液相反应:首先水热反应,配制六水合硝酸钴、氟化氨和脲的混合溶液,摩尔浓度比为1:2:5,将步骤1)处理好的基底置于上述混合溶液中,120℃下水热反应5-12h;然后液相反应,用去离子水洗涤烘干后置于0.05-0.15M硝酸铁溶液中静置6-24h;
3)干燥与煅烧:将步骤2)得到的材料进行干燥,然后置于400-500℃条件下煅烧2h。
采用金属片为基底时,水热反应必须加入氟化氨,浓度为0.2mol L-1。
步骤2)中水热反应时间为6h;步骤2)中液相反应的硝酸铁溶液溶度为0.1M,液相反应时间为12h。
步骤2)中烘干温度为60℃,时间为15min。
步骤3)中煅烧温度为450℃。
本发明提出一种制备多孔CoFe2O4纳米棒的阵列薄膜方法,利用模板法和液相反应,煅烧后得到的纳米棒阵列薄膜由多孔CoFe2O4纳米棒组成,便于将其应用在锂电池、薄膜太阳能电池等方面,是一种操作简便,方法灵活的环境友好型的制备方法。
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