[发明专利]绝缘体上硅射频开关器件结构

权利要求书

1.一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、以及布置在掩埋氧化物层上的器件区和体区；其中，在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；体区中的硅层与沟道区连成一体，而且体区中的硅层上形成有与栅极多晶硅连成一体的多晶硅连接区；栅极多晶硅和多晶硅连接区具有第一掺杂类型；沟道区和硅层具有第二掺杂类型，由此在多晶硅连接区和硅层之间形成了反向二极管。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，多晶硅连接区连接栅极多晶硅，而且连接作为体区的硅层。

3.根据权利要求2所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，在绝缘体上硅射频开关器件的栅极多晶硅和体区之间形成了反向二极管。

4.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，第一掺杂类型是N型掺杂，第二掺杂类型是P型掺杂；或者第一掺杂类型是P型掺杂，第二掺杂类型是N型掺杂。

5.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，其中，掩埋氧化物层布置在硅基底层上。

6.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，源极区通过通孔连接至源极金属布线。

7.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，漏极区通过通孔连接至漏极金属布线。

8.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，栅极多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线。