[发明专利]蚀刻工艺中减少的钛底切

权利要求书

1.一种形成金属特征的方法，所述方法包括：

(a)提供微特征工件，所述微特征工件包括：基板；连续含钛阻挡层，布置在所述基板上；连续第一金属层，布置在具有厚度的所述阻挡层上；和电介质层，在所述第一金属层上被图案化以提供界定侧壁表面和底表面的凹槽，其中所述凹槽的所述底表面是金属表面，且所述凹槽的所述侧壁表面是电介质表面；

(b)在所述第一金属层的暴露顶表面上的所述凹槽之内沉积第二金属层；

(c)去除所述电介质层以提供暴露特征；

(d)使用第一蚀刻化学品蚀刻所述第一金属层的一部分；和

(e)使用第二蚀刻化学品蚀刻所述阻挡层的一部分以实现阻挡层底切，所述底切小于或等于所述阻挡层的所述厚度的两倍。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层是种晶层。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述第二金属层的暴露顶表面上的凹入特征之内电化学沉积第三金属层。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包含：在所述第三金属层的暴露顶表面上的凹入特征之内电化学沉积第四金属层。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品包括过氧化氢和氟化物离子。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品包括过氧化氢和氟化铵。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品中的所述过氧化氢的摩尔浓度在0.300M至17.600M的范围之内。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品中的所述氟化铵的摩尔浓度在0.012M至0.900M的范围之内。

9.如权利要求6所述的方法，其中过氧化氢与氟化铵之间的摩尔比率在83:1至13:1的范围之内。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品进一步包括苛性碱溶液。

11.如权利要求6所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品进一步包括氢氧化铵。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品的温度在35摄氏度至80摄氏度的范围之内。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻化学品的pH值在约4.5至约8.0的范围之内。

14.一种形成金属特征的方法，所述方法包括：

(a)提供微特征工件，所述微特征工件包括：基板；连续含钛阻挡层，布置在所述基板上；连续金属种晶层，布置在所述阻挡层上；和电介质层，在所述金属种晶层上被图案化以提供界定侧壁表面和底表面的凹槽，其中所述凹槽的所述底表面是金属表面，且所述凹槽的所述侧壁表面是电介质表面；

(b)在所述金属种晶层的暴露顶表面上的所述凹槽之内电化学沉积第一金属层；

(c)去除所述电介质层以提供暴露特征；

(d)使用第一蚀刻化学品蚀刻所述第一金属层的一部分；和

(e)使用包括过氧化氢和氟化物离子的第二蚀刻化学品蚀刻所述阻挡层的一部分。

15.一种微特征工件，包括：

(a)基板；

(b)布置在所述基板上的微特征，所述微特征包括在所述基板之上的含钛阻挡层、在所述阻挡层之上的金属种晶层、和布置在所述金属种晶层上的至少第一金属化层，其中所述阻挡层具有小于所述阻挡层的厚度的两倍的底切。