[发明专利]一种显示面板及其制造方法、TFT测试方法

权利要求书

1.一种显示面板，包括显示区域和所述显示区域的外围区域，其特征在于，所述外围区域包括：电致发光层测试区、TFT测试区、以及引出线；其中，

所述电致发光层测试区包括多个具有电致发光层的薄膜晶体管，连接所述多个具有电致发光层的薄膜晶体管的源极的第一测试线，以及，连接所述多个具有电致发光层的薄膜晶体管的栅极的开关引线和第二测试线；

所述TFT测试区包括多个薄膜晶体管；

所述引出线有多根，且每一根引出线用于连接所述电致发光层测试区中的一个薄膜晶体管的源漏金属层和所述TFT测试区中的一个薄膜晶体管的源漏金属层；

其中，所述电致发光层测试区中的具有电致发光层的薄膜晶体管从下向上依次包括：基板、缓冲层、低温多晶硅、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏金属电极、平坦层、像素定义层和电致发光层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电致发光层测试区中的具有电致发光层的薄膜晶体管与所述TFT测试区中的薄膜晶体管个数相同，且一一对应。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述具有电致发光层的薄膜晶体管的材料与所述显示区域中的薄膜晶体管的材料相同。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述TFT测试区中的薄膜晶体管从下向上依次包括：缓冲层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏金属电极、平坦层和像素定义层；

其中，所述TFT测试区中的薄膜晶体管的材料与所述显示区域中的薄膜晶体管的材料相同。

5.一种利用如权利要求1提供的显示面板测试TFT特性的方法，其特征在于，该方法包括：

在所述开关引线施加第一电压，使得所述电致发光层测试区中的薄膜晶体管和所述TFT测试区的薄膜晶体管导通，所述电致发光层发光；

在所述开关引线施加第二电压，使得所述电致发光层测试区中的薄膜晶体管截止，所述TFT测试区的薄膜晶体管导通，测量所述TFT测试区的薄膜晶体管的电学特性；

其中，所述第一电压为使得薄膜晶体管导通的电压，所述第二电压为使得薄膜晶体管截止的电压。

6.根据权利要求5所述的测试TFT特性的方法，其特征在于，测量所述TFT测试区的薄膜晶体管的电学特性，包括：

根据多个数据计算所述TFT测试区中薄膜晶体管的短程均匀性，其中，每一数据是通过如下方式获得的数据：

将第一探针固定在所述电致发光层测试区的第一测试线，将第二探针固定在所述电致发光层测试区的第二测试线，将第三探针放在所述TFT测试区，并在所述TFT测试区内移动所述第三探针，每移动一次所述第三探针得到一个数据。

7.一种权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，包括：在制造所述显示区域的同时在所述显示区域外围制造所述外围区域，其中，

在形成具有电致发光层的薄膜晶体管的栅极时，形成开关引线和第二测试线；

在形成具有电致发光层的薄膜晶体管的源极时，形成第一测试线；

在形成具有电致发光层的薄膜晶体管的源漏金属层和TFT测试区中的薄膜晶体管的源漏金属层时，形成引出线。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成电致发光层测试区中的具有电致发光层的薄膜晶体管，包括：

在外围区域的电致发光层测试区的阵列基板上依次形成基板、缓冲层、低温多晶硅、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏金属电极、平坦层、像素定义层和电致发光层。

9.根据权利要求7所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成TFT测试区中的薄膜晶体管，包括：

在外围区域的TFT测试区的阵列基板上依次形成缓冲层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏金属电极、平坦层和像素定义层。