[发明专利]一种显示面板及其制造方法、TFT测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板显示领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、TFT测试方法。

背景技术

随着人们生活水平的逐渐提高，人们对显示质量的要求也越来越高，现有技术中，液晶显示器(LCD)的技术已经非常成熟，液晶显示器应用也很广泛，例如，手机、相机、电脑、电视等显示屏都属于液晶显示器。随着人们对产品的大量需求，客观上推动了显示技术的发展，新的显示技术不断出现，例如低温多晶硅(LTPS)、有机二极管(OLED)显示技术等。其中，有源矩阵有机发光二极管面板(AMOLED)是下一代显示技术的重点开发对象，市场上各个手机品牌公司也已经向有源矩阵有机发光二极管面板的技术方向付出努力。然而，有源矩阵有机发光二极管面板不管在画质、效能或者成本上，都比有源矩阵液晶显示器(AMLCD)显示效果要好很多。

其中，低温多晶硅比传统的非晶硅(a-Si)相比，具有很多优势。但是，传统的低温多晶硅的薄膜晶体管的背板制作技术中，对薄膜晶体管的短程均匀性测试较少，且不能对电致发光层的显示效果、以及薄膜晶体管的短程均匀性进行综合评价。

综上所述，现有技术中存在的缺点是：不能综合测量电致发光层的显示效果、以及薄膜晶体管的电学特性。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、TFT测试方法，用以综合评价显示面板中的电致发光层的显示效果、以及薄膜晶体管的电学特性，包括短程均匀性等。

本发明实施例提供了一种显示面板包括显示区域和所述显示区域的外围区域，所述外围区域包括：电致发光层测试区、TFT测试区、以及引出线；其中，

所述电致发光层测试区包括多个具有电致发光层的薄膜晶体管，连接所述多个具有电致发光层的薄膜晶体管的源极的第一测试线，以及，连接所述多个具有电致发光层的薄膜晶体管的栅极的开关引线和第二测试线；

所述TFT测试区包括多个薄膜晶体管；

所述引出线有多根，且每一根引出线用于连接所述电致发光层测试区中的一个薄膜晶体管的源漏金属层和所述TFT测试区中的一个薄膜晶体管的源漏金属层。

通过本发明实施例提供的显示面板的外围区域，用于作为待测试TFT特性的显示装置，根据电致发光层测试区中电致发光层的薄膜晶体管可以测试出显示区域中的电致发光层的显示效果；根据TFT测试区中的薄膜晶体管可以测试出显示区域中的薄膜晶体管的TFT的电学特性，包括短程均匀性(short range uniformity)等；其中引出线用于将电致发光层测试区中电致发光层下面的薄膜晶体管引出在TFT测试区，便于测试TFT的电学特性；根据外围区域中的电致发光层测试区得到的电致发光层的显示效果和TFT测试区中得到的TFT的电学特性，从而实现了综合评价了显示面板中的电致发光层的显示效果、以及薄膜晶体管的电学特性。

较佳地，所述电致发光层测试区中的具有电致发光层的薄膜晶体管与所述TFT测试区中的薄膜晶体管个数相同，且一一对应。

具体地，TFT测试区中的薄膜晶体管是通过引出线连接电致发光层测试区中的电致发光层下面的薄膜晶体管，用于测试电致发光层测试区中的电致发光层下面的薄膜晶体管的电学特性，包括短程均匀性等。

较佳地，所述电致发光层测试区中的具有电致发光层的薄膜晶体管从下向上依次包括：基板、缓冲层、低温多晶硅、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏金属电极、平坦层、像素定义层和电致发光层；

其中，所述具有电致发光层的薄膜晶体管的材料与所述显示区域中的薄膜晶体管的材料相同。

较佳地，所述TFT测试区中的薄膜晶体管从下向上依次包括：缓冲层、栅极绝缘层、栅极掩模板、层间绝缘层、源漏金属电极、平坦层和像素定义层；

其中，所述TFT测试区中的薄膜晶体管的材料与所述显示区域中的薄膜晶体管的材料相同。

本发明实施例提供一种利用本发明提供的显示面板测试TFT特性的方法，该方法包括：

在所述开关引线施加第一电压，使得所述电致发光层测试区中的薄膜晶体管和所述TFT测试区的薄膜晶体管导通，所述电致发光层发光；

在所述开关引线施加第二电压，使得所述电致发光层测试区中的薄膜晶体管截止，所述TFT测试区的薄膜晶体管导通，测量所述TFT测试区的薄膜晶体管的电学特性；

其中，所述第一电压为使得薄膜晶体管导通的电压，所述第二电压为使得薄膜晶体管截止的电压。