[发明专利]一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201510322480.8 | 申请日： | 2015-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104966771A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 邱彩玉;丁雯;张新娟;徐一梦 | 申请（专利权）人： | 温州生物材料与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 325011 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 氮化 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1. 一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片，其特征在于，在衬底（1）上自下而上依次有氮化镓层（2）、氮化硼层（3）和石墨烯层（4），所述的LED芯片还包括第一电极（5）和第二电极（6），第一电极（5）设置在氮化镓层（2）上，第二电极（6）设置在石墨烯层（4）上。
2. 根据权利要求1所述的石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片，其特征在于，所述的衬底（1）为氮化镓、碳化硅、蓝宝石或者氧化锌。
3. 根据权利要求1所述的石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片，其特征在于，所述的氮化硼层（3）为单层或多层的氮化硼，其厚度为0.4nm-500nm。
4. 根据权利要求1所述的石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片，其特征在于，所述的石墨烯层（4）中石墨烯为1-20层。
5. 根据权利要求1所述的石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片，其特征在于，所述的第一电极为金、银、铜、镍、铬、钛、钯和铝中的一种或者几种的复合电极；所述的第二电极为金、银、铜、镍、铬、钛、钯和铝中的一种或者几种的复合电极。
6.一种如权利要求1所述的石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：
1）在洁净的衬底表面采用MOCVD或MBE法沉积氮化镓层；
2）在氮化镓层上转移氮化硼层，并预留生长第一电极的面积；
3）在氮化硼层上转移石墨烯层；
4）在石墨烯层上制作第二电极，并在氮化镓层的预留面积处制作第一电极。
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