[发明专利]一种基于损耗抑制的高精度检波器系统

权利要求书

1.一种基于损耗抑制的高精度检波器系统，由采样电路，电压比较电路，与电压比较电路相连接的转换电路，以及串接在转换电路和电压比较电路之间的线性驱动电路组成，其特征在于：在采样电路与电压比较电路之间还设置有损耗抑制电路；所述的损耗抑制电路由抑制芯片U3，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极顺次经电阻R17、电阻R20后与三极管VT6的发射极相连接、负极经电阻R16后与采样电路相连接的极性电容C7，N极经电阻R22后与抑制芯片U3的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R19、二极管D4、电阻R23、极性电容C9后与抑制芯片U3的SENSE1管脚相连接的二极管D3，正极经可熔电阻R18后与三极管VT5的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8，正极与二极管D3的N极相连接、负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接的极性电容C10，P极与抑制芯片U3的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管VT7的基极相连接的二极管D5，负极经电阻R24后与抑制芯片U3的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C11，P极经极性电容C12后与三极管VT7的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D6后与抑制芯片U3的VDD管脚相连接的二极管D8，以及P极经电阻R27后与三极管VT7的集电极相连接、N极与电压比较电路相连接的二极管D7组成；所述三极管VT5的发射极与极性电容C7的正极相连接、其集电极则与二极管D3的P极相连接，三极管VT6的集电极接地；所述抑制芯片U3的SENSE2管脚与二极管D4与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D8的N极和二极管D7的P极相连接；

所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极与电压比较电路相连接、负极经电阻R9后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C4，一端与三极管VT1的集电极相连接、另一端经电阻R11后与三极管VT3的基极相连接的电阻R10，正极与三极管VT1的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C6，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C5，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R13，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R12，N极与三极管VT1的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管VT1的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R15，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R14和电阻R15的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT1的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接，三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D2的N极与转换电路相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于损耗抑制的高精度检波器系统，其特征在于：所述的采样电路由放大器P，一端与放大器P的正极相连接、另一端作为信号输入端的电阻R1，正极与放大器P的正极相连、负极接地的极性电容C1，与极性电容C1相并联的电阻R2，串接在放大器P的负极和输出端之间的电阻R4，以及一端与放大器P的负极相连、另一端接地的电阻R3组成；所述放大器P的输出端还经电阻R16后与极性电容C7的负极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于损耗抑制的高精度检波器系统，其特征在于：所述的电压比较电路由比较芯片U1，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端同时与转换电路和比较芯片U1的V+管脚相连接的电阻R6，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端则与比较芯片U1的OUT管脚相连的电阻R7，一端与二极管D7的N极相连接、另一端则与比较芯片U1的IN1管脚相连的电阻R5，以及正极与比较芯片U1的V-管脚相连、负极同时与比较芯片U1的GND管脚以及转换电路相连的极性电容C2组成；所述比较芯片U1的V+管脚与外部电源相连，其OUT管脚与极性电容C4的正极相连接，GND管脚接地；所述的比较芯片U1为LM311集成芯片。