[发明专利]LTPS阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基体上形成所述低温多晶硅阵列基板的薄膜晶体管的源极和漏极；

在包括所述源极和所述漏极的所述基体上形成第一区域和第二区域的多晶硅层，且所述第一区域的多晶硅层的厚度大于所述第二区域的，除所述第二区域之外的所述第一区域的多晶硅层部分覆盖所述源极和所述漏极；

对所述多晶硅层的表面进行钝化处理，以将所述第二区域的多晶硅层以及所述第一区域的多晶硅层临近表面的部分变成绝缘层；

在所述源极和所述漏极之间的所述绝缘层上形成所述薄膜晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基体包括衬底板材及形成于所述衬底板材上的缓冲层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在包括所述源极和所述漏极的所述基体上形成第一区域和第二区域的多晶硅层的步骤包括：

在包括所述源极和所述漏极的所述基体上依次形成多晶硅层、正性光阻层；

利用半透式光罩且自所述基体朝向所述正性光阻层的一侧进行曝光，以形成厚度不同的第一区域和第二区域的正性光阻层；

去除所述第二区域的正性光阻层；

刻蚀所述第二区域的多晶硅层以使其具有预定厚度；

去除所述第一区域的正性光阻层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化处理包括氧化处理和氮化处理中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在位于所述源极和所述漏极之间的所述绝缘层上形成栅极之后，所述方法还包括：

向所述第一区域的多晶硅层与所述源极和所述漏极直接接触的两端注入第一杂质离子；

向对应于所述栅极与所述源极、所述栅极与所述漏极之间的所述第一区域的多晶硅层注入第二杂质离子，以形成轻掺杂漏极结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一杂质离子为N+型杂质离子，且所述第二杂质离子为N－型杂质离子。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在位于所述源极和所述漏极之间的所述绝缘层上形成栅极之后，所述方法还包括：

向所述第一区域的多晶硅层与所述源极和所述漏极直接接触的两端注入P型杂质离子，以形成轻掺杂漏极结构。

8.根据权利要求5～7任意一项所述的方法，其特征在于，在形成轻掺杂漏极结构之后，所述方法还包括：

在包括所述栅极的所述基体上形成平坦层，并在所述平坦层内形成接触孔以暴露所述漏极的表面；

在除对应所述薄膜晶体管之外的所述平坦层上形成所述低温多晶硅阵列基板的公共电极层；

在所述平坦层和所述公共电极层上形成钝化层，且所述钝化层未覆盖所述接触孔；

在所述钝化层上形成像素电极，并且所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极电连接。

9.一种低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板包括：

基体；

源极和漏极，位于所述基体上；

多晶硅层，位于包括所述源极和所述漏极的所述基体上，且所述多晶硅层部分覆盖所述源极和所述漏极；

绝缘层，位于所述多晶硅层以及所述源极和所述漏极上，且所述绝缘层由覆盖于包括所述源极和所述漏极的所述基体上的多晶硅层通过钝化处理得到；

栅极，位于所述源极和所述漏极之间的所述绝缘层上；

平坦层，位于包括所述栅极的所述基体上，且所述平坦层内形成有暴露所述漏极的表面的接触孔；

公共电极层，位于除对应所述低温多晶硅阵列基板的薄膜晶体管之外的所述平坦层上；

钝化层，位于所述平坦层和所述公共电极层上，且所述钝化层未覆盖所述接触孔；

像素电极，位于所述钝化层上，且所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极电连接。

10.根据权利要求9所述的低温多晶硅阵列基板，其特征在于，所述钝化处理包括氧化处理和氮化处理中的至少一个。