[发明专利]弹性波元件

权利要求书

1.一种弹性波元件，包括：

压电体；

设置在所述压电体上的IDT电极，所述IDT电极激励波长为λ的主要弹性波，所述IDT电极包括具有设置在所述压电体上的钼的第一电极层和具有设置在所述第一电极层上的铝的第二电极层，所述IDT电极具有0.15λ以下的总厚度，所述第一电极层具有0.03λ以上的厚度，所述第二电极层具有0.025λ以上的厚度；以及

氧化硅膜，具有0.2λ至0.5λ之间的厚度，设置在所述压电体上，并且覆盖所述IDT电极。

2.根据权利要求1所述的弹性波元件，其中，所述氧化硅膜的厚度在0.2λ至0.3λ之间，并且所述第一电极层的厚度为0.038λ以上。

3.根据权利要求1所述的弹性波元件，其中，所述压电体的欧拉角(φ，θ，ψ)满足-10°≤φ≤10°，33°≤θ≤43°，-10°≤ψ≤10°，并且所述氧化硅膜的厚度H、所述第一电极层的厚度h、以及所述IDT电极的电极指的宽度对所述IDT电极的间距的比值η满足下述之一：(i)H/h为5.00至6.25之间，且h/λ为4.5％以上，并且η为0.3至0.4之间或0.6至0.7之间；(ii)H/h为5.00至6.25之间，且h/λ为3.5％以上，并且η为0.4至0.6之间；以及(iii)H/h的范围为6.25至8.75，并且h/λ为3.5％以上。

4.一种弹性波元件，包括：

压电体；

设置在所述压电体上的IDT电极，所述IDT电极激励波长为λ的主要弹性波，所述IDT电极包括具有设置在所述压电体上的钨的第一电极层和具有设置在所述第一电极层上的铝的第二电极层，所述IDT电极具有0.15λ以下的总厚度，所述第一电极层具有0.004λ以上的厚度，所述第二电极层具有0.026λ以上的厚度；以及

氧化硅膜，具有0.1λ至0.5λ之间的厚度，设置在所述压电体上，并且覆盖所述IDT电极。

5.根据权利要求4所述的弹性波元件，其中，所述氧化硅膜的厚度为0.1λ至0.2λ之间，并且所述第一电极层的厚度为0.027λ以上。

6.根据权利要求4所述的弹性波元件，其中，所述氧化硅膜的厚度为0.2λ至0.3λ之间，并且所述第一电极层的厚度为0.02λ以上。

7.根据权利要求4所述的弹性波元件，其中，所述氧化硅膜的厚度为0.5λ，所述第一电极层的厚度为0.004λ以上。

8.一种弹性波元件，包括：

压电体；

设置在所述压电体上的IDT电极，所述IDT电极激励波长为λ的主要弹性波，所述IDT电极包括具有设置在所述压电体上的铂的第一电极层和具有设置在所述第一电极层上的铝的第二电极层，所述IDT电极具有0.15λ以下的总厚度，所述第一电极层具有0.009λ以上的厚度，所述第二电极层具有0.026λ以上的厚度；以及

氧化硅膜，具有0.1λ至0.5λ之间的厚度，设置在所述压电体上，并且覆盖所述IDT电极。

9.根据权利要求8所述的弹性波元件，其中，所述氧化硅膜的厚度为0.1λ至0.2λ之间，并且所述第一电极层的厚度为0.02λ以上。

10.根据权利要求8所述的弹性波元件，其中，所述氧化硅膜的厚度为0.2λ至0.3λ之间，并且所述第一电极层的厚度为0.018λ以上。

11.根据权利要求1、4和8中的任一项所述的弹性波元件，其中，所述氧化硅膜具有在其上表面上的凸部，所述凸部位于所述IDT电极的电极指上方。

12.根据权利要求11所述的弹性波元件，其中，所述凸部的顶部的宽度小于所述IDT电极的电极指的宽度。

13.根据权利要求12所述的弹性波元件，其中，所述凸部的顶部的宽度是所述IDT电极的电极指的宽度的一半或更小。

14.根据权利要求11所述的弹性波元件，其中，所述凸部的高度T满足关系式0.03λ＜T≤t，其中t是所述IDT电极的总厚度。

15.根据权利要求1、4和8中的任一项所述的弹性波元件，其中，所述第二电极层延伸到所述第一电极层的侧面的一部分上。