[发明专利]用于晶圆级封装件的互连结构及其形成方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请是2014年8月20日提交的标题为“Interconnect Structures for Wafer Level Package and Methods of Forming Same”的美国专利申请第14/464，487号的部分继续申请，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明实施例涉及用于晶圆级封装件的互连结构及其形成方法。

背景技术

在诸如晶圆级封装(WLP)的传统的封装技术的方面中，再分布层(RDL)可以形成在管芯上方并且电连接至管芯中的有源器件。然后，可以形成诸如凸块下金属化层(UBM)上的焊料球的外部输入/输出(I/O)焊盘，以通过RDL电连接至管芯。这样的封装技术的有利特征在于，有可能形成扇出封装件。因此，与管芯相比，管芯上的I/O焊盘可以再分布至更大的面积，并且因此，可以增加封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。

在这样的封装技术中，可以在管芯周围形成模塑料，以提供用于支撑扇出互连结构的表面面积。例如，RDL通常包括形成在管芯和模塑料上方的一个或多个聚合物层。导电部件(例如，导电线和/或通孔)形成在聚合物层中，并且将管芯上的I/O焊盘电连接至RDL上方的外部I/O焊盘。外部I/O焊盘可以设置在管芯和模塑料上方。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种器件封装件，包括：多个管芯；模塑料，沿着所述多个管芯的侧壁延伸，其中，所述模塑料包括非平坦的顶面；聚合物层，位于所述模塑料上方并且接触所述模塑料，其中，所述聚合物层的顶面的总厚度变化(TTV)小于所述模塑料的非平坦的顶面的TTV；以及导电部件，位于所述聚合物层上，其中，所述导电部件电连接至所述多个管芯中的至少一个。

根据本发明的另一实施例，提供了一种器件封装件，包括：第一管芯；第二管芯，邻近所述第一管芯；模塑料，沿着所述第一管芯和所述第二管芯的侧壁延伸，其中，所述模塑料包括位于所述第一管芯与所述第二管芯之间的非平坦的顶面；聚合物层，位于所述模塑料上方并且接触所述模塑料，其中，所述聚合物层包括位于所述模塑料的非平坦的顶面上方的非平坦的顶面，并且其中，所述聚合物层的非平坦的顶面具有小于约5微米(μm)的总厚度变化(TTV)；以及导电线，位于所述聚合物层上，其中，所述导电线的至少一部分接触所述聚合物层的非平坦的顶面，并且其中，所述导电线电连接至所述第一管芯。

根据本发明的又一实施例，提供了一种用于形成器件封装件的方法，所述方法包括：在载体上设置多个管芯；在所述载体上方和在所述多个管芯周围形成模塑料，其中，当形成所述模塑料时，所述多个管芯由膜层覆盖，并且其中，所述模塑料包括位于所述多个管芯的相邻管芯之间的非平坦的顶面；在所述多个管芯上方形成聚合物层并且所述聚合物层接触所述模塑料的非平坦的顶面，其中，形成所述聚合物层包括平坦化工艺，以使得所述聚合物层的顶面的总厚度变化(TTV)小于所述模塑料的非平坦的顶面的TTV；以及在所述聚合物层上形成导电线。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A至图1D示出了根据一些实施例的器件封装件的截面图和顶视图。

图2至图13示出了根据一些实施例的制造器件封装件的中间步骤的截面图。

图14至图20示出了根据一些其他实施例的制造器件封装件的中间步骤的截面图。

图21A和图21B示出了根据一些可选实施例的器件封装件的截面图。

图22示出了根据一些实施例的用于形成器件封装件的工艺流程。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。