[发明专利]感应铟锡氧化物层的布线结构有效
| 申请号： | 201510524549.5 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105068704B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 游健超 | 申请（专利权）人： | 武汉精测电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感应 氧化物 布线 结构 | ||
1.一种感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：它包括并排或并列布置的多个感应铟锡氧化物子单元(1.1)，所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)均包括相互垂直的第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)；所述第一触控感应区(1.2)和第二触控感应区(1.3)均包括相互连通的第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)；
所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)均包括相互对称的第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)；
所述第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)均包括3个独立三角形ITO区块和1个独立菱形ITO区块。
2.根据权利要求1所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)相互对称。
3.根据权利要求2所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：所述第一触控感应子区(1.4)和第二触控感应子区(1.5)均包括相互连通的第一8边形ITO区块(1.6)和第二8边形ITO区块(1.7)。
4.根据权利要求3所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：所述第一8边形ITO区块(1.6)和第二8边形ITO区块(1.7)相互对称。
5.根据权利要求1所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：所述第一独立ITO区块(1.8)和第二独立ITO区块(1.9)相互对称。
6.根据权利要求5所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：所述三角形ITO区块为等腰三角形ITO区块。
7.根据权利要求1～6任意一项所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)之间的间距为4mm-8mm。
8.根据权利要求7所述的感应铟锡氧化物层的布线结构，其特征在于：所述每个感应铟锡氧化物子单元(1.1)内部各ITO区块之间的间距为20μm-400μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉精测电子技术股份有限公司，未经武汉精测电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510524549.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
