[发明专利]用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料

权利要求书

1.一种用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料，其特征在于：其结构式为Ga_2-2xAl_2xO₃，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0-50％。

2.根据权利要求1所述的氧化铝-氧化镓混晶材料，其特征在于，该混晶材料为单斜晶系，空间群为c2/m。

3.根据权利要求1所述的氧化铝-氧化镓混晶材料，其特征在于，该混晶材料的紫外光谱吸收边为210-255nm。

4.权利要求1所述的氧化铝-氧化镓混晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

①采用纯度为99.999％的高纯氧化镓和氧化铝粉末原料，根据摩尔比配方(1-x)Ga₂O₃+xAl₂O₃精确称取原料，其中0≤x≤0.50；

②将所称重的原料放入清洁的聚四氟乙烯球磨罐中，放入玛瑙球，倒入适量无水乙醇，密封后，放入行星球磨机中，混料12-24h。

③将球磨罐放入烘箱中，设定温度75～100℃，烘烤6-10h，确保乙醇挥发完全；

④将干燥的混合粉料放入有机模具中，等静压下压制成料棒。

⑤压制好的料棒在马弗炉中1200-1600℃烧结10-20h，除去原料中的水分，并让氧化铝与氧化镓原料发生固相反应，形成多晶料。

⑥将烧结后的料棒作为上棒，氧化镓籽晶作为下棒，氧化气氛下生长，晶体生长完毕，缓慢降至室温，取出晶体。

5.根据权利要求4所述的氧化铝-氧化镓混晶材料的制备方法，其特征在于，所述的步骤②中原料与无水乙醇的比例为1:0.8～1.2。

6.根据权利要求4所述的氧化铝-氧化镓混晶材料的制备方法，其特征在于，所述的步骤⑥中晶体生长速度为1-15mm/h，转速为5-20rpm。