[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片的标记方法及太阳能电池片在审
申请号: | 201510527695.3 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN105161549A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 费正洪;衡阳;潘励刚;周彬 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L23/544 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 标记 方法 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池片的标记方法,其特征在于:在晶体片丝网印刷铝背场的过程中,在硅片铝背场上设置2~3个凹坑,通过选择凹坑的数量、形状、位置和排列方式中的2种或2种以上的组合进行标记。
2.根据权利要求1所述的标记方法,其特征在于:所述标记方法分成2部分,一是通过凹坑的数量、形状和排列方式的组合来对不同的生产车间进行标记;二是通过凹坑的位置来对不同的流水线线别进行标记。
3.根据权利要求1所述的标记方法,其特征在于:所述凹坑的形状选自圆形、三角形和方形中的一种或几种。
4.根据权利要求3所述的标记方法,其特征在于:所述凹坑的形状选自圆形,其半径为1~2mm。
5.根据权利要求1所述的标记方法,其特征在于:所述凹坑的数量为2个。
6.根据权利要求1所述的标记方法,其特征在于:所述凹坑的排列方式为水平排列、竖直排列或斜向排列。
7.根据权利要求1所述的标记方法,其特征在于:所述凹坑的位置设于硅片的边缘和/或背电极的上下左右位置。
8.根据权利要求1所述的标记方法,其特征在于:所述凹坑的深度为10~30微米。
9.根据权利要求1所述的标记方法获得的太阳能电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的