[发明专利]一种用于断路器开关柜的复合开关

权利要求书

1.一种用于断路器开关柜的复合开关，包括断路器、壳体以及设于壳体内的电路结构，其特征在于：还包括操作杆，所述壳体设置有滑槽，所述断路器设有与滑槽相适配的滑块，所述断路器通过滑块与滑槽滑移连接；所述滑块可沿自身轴向滑动的嵌设在所述断路器底部，所述断路器侧壁开设有开口，所述操作杆贯穿所述开口与所述滑块固接；

所述滑槽远离所述断路器的前段为导体并与所述电路结构通过导线连通，所述滑槽后段为绝缘体，所述滑块前段于所述滑槽前段对应处为导体并与所述断路器通过导线连通，所述滑块后段为绝缘体，所述壳体与断路器之间配合设有防止插接端和套接端脱离的卡扣机构；

所述滑块前段导体中各成分的质量百分比为：C：0.18-0.22%、Ga：0.02-0.03%、Ge：0.02-0.03%、Al0.23-0.36%、Ti：0.06-0.09%、Mn：0.31-0.32%、Fe：0.81-0.92%、Y：0.21-0.27%、Sn：0.51-0.57%、Cr：0.13-0.16%、Ni：1.15-1.23%、Zn：0.75-0.96%、Zr：0.35-0.46%、V：0.19-0.26%、Cu：2.65-2.86%、Mo：0.05-0.09%、Re：0.12-0.15%、Os：0.11-0.13%、Hf：0.21-0.23%、Lu:0.28-0.32%、Pd：0.23-0.35%、Eu：0.12-0.16%、Pt：0.25-0.29%、Pb：1.05-1.19%、Bi：0.15-0.19%、Au：1.06-1.18%、W：1.32-1.45%、Ta：0.31-0.44%、Nd：0.23-0.33%、Ce：0.12-0.14%，余量为Ag；

所述滑块的加工工艺包括以下步骤：

㈠熔炼：将滑块前段导体部分的原料加热熔炼，控制温度为1200-1250℃；

㈡精炼：控制精炼温度为900℃～950℃精炼20分钟，静置15分钟，气压0.02-0.03MPa；

㈢铸造：将精炼后的滑块前段导体部分的原料铸造成型，成型的滑块前段在与滑块后段的固定面上铸有不规则凸起；

㈣热处理：采用淬火-加热-回火的热处理工艺，具体热处理工艺为：

淬火：将铸造后的滑块前段放入淬火炉进行淬火，淬火介质为真空淬火油，控制淬火温度为750-800℃，淬火时冷到190-210℃时,取出空冷至室温；

加热：将淬火后的滑块前段放入加热炉进行加热，加热温度为875-925℃，加热25分钟后停止加热，使滑块前段在加热炉内利用余热维持在450-470℃保温9-11分钟，将滑块前段取出冷却至室温；

回火：将加热后的滑块前段放入回火炉进行回火，控制回火温度为460-480℃，回火时间7分钟，然后采用压缩空气或雾状淬火液以16-18℃/s的冷却速率将滑块前段冷至330-350℃，然后空冷至室温；

㈤通过压制成型机将酚醛塑料制成滑块后段；

㈥通过超声波焊接将滑块前段导体部分与滑块后段焊接,控制超声波工作频率为40KHz；

㈦打磨去毛刺：通过打磨机将超声波焊接后滑块前段导体部分与滑块后段固接处的毛刺、毛边去除；

㈧滑块后段涂覆耐腐蚀涂层：采用表面处理-打底-鳞片胶涂敷-面涂的涂覆工艺，具体工艺为：

表面处理：喷砂或用角磨机将滑块后段绝缘体部分表面打磨粗化，并清除基面上的灰尘、油污、水分，使表面露出新鲜基材；

打底：把滑块后段绝缘体部分的施工面上的气孔、麻面用防腐胶填塞密实，然后涂敷BD417防腐涂层胶作为底涂；

鳞片胶涂敷：底涂初固后就可以把BD418鳞片防腐涂层胶涂敷于底涂上面，应向一个方向刮涂；前层鳞片涂层胶初固后就可以涂下一层；

面涂：最后一层鳞片涂层胶初固后涂敷BD417防腐涂层胶做为面层。

2.根据权利要求1所述的用于断路器开关柜的复合开关，其特征在于：所述滑槽与滑块呈防止滑块沿滑槽横断面脱离滑槽的限位结构设置。

3.根据权利要求2所述的用于断路器开关柜的复合开关，其特征在于：所述滑槽设置为燕尾形滑槽，所述滑块设置为与燕尾形滑槽相适配的燕尾形滑块。

4.根据权利要求3所述的用于断路器开关柜的复合开关，其特征在于：所述壳体靠近所述断路器处对称设有一对卡板，所述断路器设有与所述卡板相适配的卡槽，所述壳体通过卡板和卡槽的配合与所述断路器锁定。