[发明专利]一种半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法

权利要求书

1.一种半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）提供光学平台，在所述光学平台上根据所需光纤位置开槽；

2）将光纤一一对应地放置在步骤1）制备的所述槽中，并将光纤固定在所述槽中，形成光纤阵列；

3）把所述光学平台和所述光纤阵列一起切开；

4）将切开后的左右两段光纤阵列相对的光纤切割面研磨抛光，放置在一底板上对准并固定。

2.根据权利要求1所述的半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于步骤3）中得到的切割面垂直于光学平台表面。

3.根据权利要求1所述的半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于步骤3）中得到的切割面与光学平台表面的垂直方向呈一定角度。

4.根据权利要求2所述的半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于所述切割面与光纤排列方向的垂直方向呈一定角度。

5.根据权利要求3所述的半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于步骤4）中还包括在底板上制作台阶的步骤，所述切开后得到的两段光纤阵列分别放置在所述台阶之上和台阶一侧对准并固定。

6.根据权利要求5所述的半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于所述台阶的高度设置为可补偿切割角度带来的耦合损耗。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于所述光学平台选自单晶硅片、玻璃或陶瓷。

8.根据权利要求1-6任一项所述的半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，其特征在于所述底板的材料选自硅、玻璃或陶瓷。

9.用权利要求1-8任一项所述半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法制备的光纤阵列。

10.使用权利要求9所述光纤阵列得到的VOA器件。