[发明专利]一种制造光衰减器阵列的方法及光衰减器阵列

权利要求书

1.一种制造光衰减器阵列的方法，在硅基光学平台上进行封装，输入光纤和输出光纤分别位于VOA芯片的两端，其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分，所述掏空部分可供光纤通过，所述输入光纤和输出光纤的端面直接耦合。

2.根据权利要求1所述的制造光衰减器阵列的方法，其特征在于所述VOA芯片和所述光纤是通过刻蚀在所述硅基光学平台上的槽进行固定的。

3.根据权利要求2所述的制造光衰减器阵列的方法，其特征在于所述槽上还刻蚀出限位机构。

4.根据权利要求3所述的制造光衰减器阵列的方法，其特征在于所述限位机构为位于固定所述VOA芯片的芯片槽上的芯片限位突起，和位于固定所述光纤的光纤槽上的光纤限位突起。

5.根据权利要求4任一项所述的制造光衰减器阵列的方法，其特征在于所述光纤槽和所述芯片槽可以同时或先后在硅基光学平台上刻蚀得到。

6.根据权利要求4或5所述的制造光衰减器阵列的方法，其特征在于所述光纤槽的刻蚀深度为65μm至125μm，芯片槽的刻蚀深度为75μm至硅基光学平台厚度的一半。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制造光衰减器阵列的方法，其特征在于所述VOA芯片表面与光纤端面平行，且所述VOA芯片和所述光纤端面可以调整为任意所需角度。

8.一种光衰减器阵列，包括硅基光学平台和固定在其上的输入光纤、输出光纤和VOA芯片，其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分，所述掏空部分可供光纤通过，所述输入光纤和输出光纤的端面在所述掏空部分直接耦合，数个具有相同结构的输入光纤、输出光纤和VOA芯片在所述硅基光学平台上以阵列方式排布。

9.根据权利要求8所述的光衰减器阵列，其特征在于所述VOA芯片和所述光纤是通过刻蚀在所述硅基光学平台上的槽进行固定的。

10.根据权利要求9所述的光衰减器阵列，其特征在于所述硅基光学平台上的槽包括限位机构，所述VOA芯片和所述光纤通过所述限位机构固定在所述槽中。

11.根据权利要求9或10所述的光衰减器阵列，其特征在于用于固定所述光纤的槽深度为65μm至125μm，用于固定所述VOA芯片的槽的深度为75μm至硅基光学平台厚度的一半。

12.根据权利要求8-11任一项所述的光衰减器阵列，其特征在于所述VOA芯片表面与光纤端面平行，且所述VOA芯片和所述光纤端面可以调整为任意所需角度。