[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

A、形成第一面板，其中，所述第一面板包括基板、缓冲层、多晶硅层、第一绝缘层和第一金属层，所述第一面板包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；

B、对所述第一面板中的所述第一金属层、第一绝缘层和所述多晶硅层实施第一光罩制程，并去除所述第一金属层中位于所述第二区域和所述第三区域中的部分，以形成薄膜晶体管中的栅极；

C、去除所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分，以露出所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的部分；

D、在所述多晶硅层位于所述第二区域和所述第三区域的表面以及所述第一金属层的表面形成第二绝缘层和第一透明电极层，并对所述第一透明电极层和所述第二绝缘层实施第二光罩制程，以分别在所述第二区域和所述第三区域形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔和所述第二通孔均使部分所述多晶硅层显露；

E、在所述第一透明电极层上设置第二金属层，并对所述第一透明电极层和所述第二金属层实施第三光罩制程，以在所述第二金属层中形成所述薄膜晶体管中的源极和漏极，以及在所述第一透明电极层中形成第一透明电极；

F、在所述第二绝缘层、所述源极、所述漏极以及所述第一透明电极层上设置钝化层和第二透明电极层，并对所述第二透明电极层实施第四光罩制程，以形成第二透明电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，在所述步骤B之后，以及在所述步骤D之前，所述方法还包括以下步骤：

H、透过所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分向所述多晶硅层布植离子。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述第二区域包括第四区域和第五区域，所述第三区域包括第六区域和第七区域，其中，所述第四区域位于所述第一区域和所述第五区域之间，所述第六区域位于所述第一区域与所述第七区域之间；

所述步骤H包括以下步骤：

h1、在所述多晶硅层中位于所述第四区域和所述第六区域的部分布植P-离子；以及

h2、在所述多晶硅层中位于所述第五区域和所述第七区域的部分布植P+离子。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，在所述第一绝缘层经过所述第一光罩制程的作用之后，所述第一绝缘层的第四厚度大于或等于所述第一绝缘层的第五厚度，其中，所述第四厚度为所述第一绝缘层在所述第四区域或所述第六区域处的平均厚度，所述第五厚度为所述第一绝缘层在所述第五区域或所述第七区域处的平均厚度。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述第一通孔位于所述第五区域，所述第二通孔位于所述第七区域；

所述第一通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第五区域的部分，所述第二通孔贯穿至所述多晶硅层中位于所述第七区域的部分；

所述步骤D包括：

d1、在所述多晶硅层和所述第一金属层的表面形成第二绝缘层和第一透明电极层；以及

d2、对所述第一透明电极层和所述第二绝缘层实施所述第二光罩制程，以分别在所述第五区域和所述第七区域形成所述第一通孔和所述第二通孔。