[发明专利]一种光阻残留物检测结构单元、检测系统及方法

权利要求书

1.一种光阻残留物的检测系统，其特征在于，包括：

一个或多个检测结构单元，分布在晶圆光罩外周边，每个所述检测结构单元为正方形，其中，所述检测结构单元由分别排布在所述正方形四角的4个第一方块图形组成，所述第一方块图形包括若干个第二方块图形，该若干个所述第二方块图形中具有一个顶点第二方块图形，其余所述第二方块图形均以所述顶点第二方块图形出发，分别沿水平方向、朝向所述正方形中心方向和垂直方向三个方向等间距发散排列；其中，按照排列的方向，定义从所述第二方块图形密集区逐渐变稀疏的方向为发散方向，反之为收敛方向，即稀疏区接近所述晶圆光罩中心，所述密集区远离所述晶圆光罩中心，且靠近所述晶圆光罩外周边；

检测单元，用于在完成光刻工艺后，对分布在晶圆光罩外周边每个所述检测结构单元进行在线缺陷扫描，并且根据在图形密度区域中在线缺陷扫描检测光阻残留物的堆积积累程度，判断光刻工艺是否符合要求。

2.根据权利要求1中所述光阻残留物的检测系统，其特征在于，所述检测结构单元为4个，均匀分布在所述晶圆光罩外周边，即在所述晶圆光罩上的45度、135度、225度和315度四个方位；其中，两两相对的两个所述检测结构单元正方形的一条对角线连线经过所述晶圆光罩的中心。

3.根据权利要求2中所述光阻残留物的检测系统，其特征在于，相邻两个第二方块图形在水平和垂直方向的间距与所述第二方块图形的边长相等。

4.根据权利要求1中所述光阻残留物的检测系统，其特征在于，所述在线缺陷扫描检测光阻残留物的堆积积累程度以缺陷扫描检测设备刚能检测到光阻残留物为判断标准。

5.一种检测结构单元，用于分布在晶圆光罩外周边，其特征在于，所述检测结构单元为正方形，其中，所述检测结构单元由分别排布在所述正方形的四角的4个第一方块图形组成，所述第一方块图形包括若干个第二方块图形，该若干个所述第二方块图形中具有一个顶点第二方块图形，其余所述第二方块图形均以所述顶点第二方块图形出发，分别沿水平方向、朝向所述正方形中心方向和垂直方向三个方向等间距发散排列；其中，按照排列的方向，定义从所述第二方块图形密集区逐渐变稀疏的方向为发散方向，反之为收敛方向，即稀疏区接近所述晶圆光罩中心，所述密集区远离所述晶圆光罩中心，且靠近所述晶圆光罩外周边。

6.根据权利要求5中所述检测结构单元，其特征在于，相邻两个第二方块图形在水平和垂直方向的间距与所述第二方块图形的边长相等。

7.一种光阻残留物的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在进行光线照射而发生光栓反应的光阻工艺前，在晶圆光罩外周边，布设一个或多个检测结构单元；每个所述检测结构单元为正方形，其中，所述检测结构单元由分别排布在所述正方形的四角的4个第一方块图形组成，所述第一方块图形包括若干个第二方块图形，该若干个所述第二方块图形中具有一个顶点第二方块图形，其余所述第二方块图形均以所述顶点第二方块图形出发，分别沿水平方向、朝向所述正方形中心方向和垂直方向三个方向等间距发散排列；其中，按照排列的方向，定义从所述第二方块图形密集区逐渐变稀疏的方向为发散方向，反之为收敛方向，即稀疏区接近所述晶圆光罩中心，所述密集区远离所述晶圆光罩中心，且靠近所述晶圆光罩外周边；

步骤S2：在光刻工艺中，利用显影液把这些光阻溶化，然后，使晶圆光罩高速旋转，利用离心力将这些溶化的光阻从所述晶圆光罩表面除去掉；

步骤S3：在光刻工艺完成后，对分布在晶圆光罩外周边每个所述检测结构单元进行在线缺陷扫描，并且根据在图形密度区域中在线缺陷扫描检测光阻残留物的堆积积累程度，判断光刻工艺是否符合要求。

8.根据权利要求7中所述光阻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测结构单元为4个，均匀分布在所述晶圆光罩外周边，即在所述晶圆光罩上的45度、135度、225度和315度四个方位；其中，两两相对的两个所述检测结构单元正方形的一条对角线连线经过所述晶圆光罩的中心。

9.根据权利要求8中所述光阻残留物的检测方法，其特征在于，相邻两个第二方块图形在水平和垂直方向的间距与所述第二方块图形的边长相等。