[发明专利]一种利用负电压进入芯片测试模式的电路有效

专利信息
申请号: 201510598465.6 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN105207657B 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 阮为 申请(专利权)人: 芯佰微电子(北京)有限公司
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102208 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 电压 进入 芯片 测试 模式 电路
【权利要求书】:

1.一种利用负电压进入芯片测试模式的电路,包括开关管M0、开关管M1、电阻R0和与非门电路I9,其特征在于,所述开关管M0的源极连接电源VDD,开关管M0的漏极连接管脚P1和开关管M1的漏极,开关管M0的栅极连接电阻R0、开关管M1的栅极、开关管M2的栅极和开关管M3的栅极,电阻R0的另一端接地,开关管M3的源极连接电源VDD,开关管M1的源极连接开关管M2的漏极和与非门电路I9的输入端B,与非门电路I9的输入端A连接触发器DFF5的QN脚,触发器DFF5的CP脚连接管脚PFI,开关管M2的源极连接开关管M3的漏极;所述管脚P1和管脚PFI分别是芯片封装后的I/O管脚;所述管脚P1施加的电压为负电压。

2.根据权利要求1所述的一种利用负电压进入芯片测试模式的电路,其特征在于,所述触发器DFF5的型号为B418。

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