[发明专利]单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法

权利要求书

1.一种单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将高硅钢母合金投入真空炉(1)内进行真空熔炼得到钢液；预热保温包(2)，使其温度高于熔炼得到的钢液的凝固点；

2)向真空炉(1)和保温包(2)内通入保护气体至正压，当真空炉(1)内气压与保温包(2)内气压接近时，打开两者之间的插板阀(3)，将保温包(2)整体下降到结晶辊(4)上方的工作位置，打开结晶辊(4)及熔潭保护气；

3)将真空炉(1)熔炼得到的钢液倾倒至保温包(2)内的喷包(5)之中，打开气体剥离装置(7)，钢液开始从喷包(5)底部喷嘴缝流出至喷嘴(6)下方旋转的结晶辊(4)上被急冷形成薄带；

4)钢液倾倒完毕后，关闭插板阀(3)，加大保温包(2)内保护气体压力，通过压力闭环控制使喷包(5)内钢液快速均匀地从喷嘴(6)喷到结晶辊(4)上直至喷带结束。

2.根据权利要求1所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于，还包括如下步骤：步骤3)～4)中急冷形成的高硅钢薄带(15)被气体剥离结晶辊(4)后，经压辊(13)导向，在薄带自动卷取装置(14)的作用下在线抓取并完成高硅钢薄带(15)的卷取过程，得到高硅钢薄带卷。

3.根据权利要求2所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：还包括将所述高硅钢薄带卷在H₂或Ar气氛下退火的步骤。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：步骤1)中，熔炼温度为1450～1650℃，熔炼绝对真空度不高于10Pa。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：步骤1)中，熔炼前，添加B、Mn、Al、Ni中的一种或数种以改善高硅钢的成形性，添加的B、Mn、Al或Ni的单一组分的质量含量不大于0.4％。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：步骤1)中，预热温度为1400～1650℃。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：步骤2)中，真空炉(1)和保温包(2)内的保护气体压力为0.05～0.1MPa；步骤4)中，加大后的保护气体压力为0.1～0.3MPa；步骤3)～4)中，熔潭保护气体压力≥0.3MPa。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：步骤3)～4)中，喷带时结晶辊(4)的转速为20m/s～30m/s。

9.根据权利要求3所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：所述退火步骤中，退火温度为650～1200℃，随炉升温，保温时间为5min～60min。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的单辊甩带法制备高硅钢薄带的方法，其特征在于：步骤2)中，所述的保护气体和熔潭保护气为Ar。