[发明专利]一种半导体陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201510826844.6 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105384432A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赖清甜 | 申请（专利权）人： | 赖清甜 |
| 主分类号： | C04B35/19 | 分类号： | C04B35/19;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 袁周珠 |
| 地址： | 511540 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体陶瓷，其特征在于：原料各组分的重量份为：
钾长石80~90份、钠长石40~50份、钛酸钡5~10份、氧化钛5~10份、钛酸铅1~5份、硫化镉1~5份、氧化锌1~5份。
2.一种半导体陶瓷，其特征在于：原料各组分的重量份为：
钾长石80~85份、钠长石40~45份、钛酸钡5~8份、氧化钛5~8份、钛酸铅3~5份、硫化镉3~5份、氧化锌3~5份。
3.一种半导体陶瓷，其特征在于：原料各组分的重量份为：
钾长石85~90份、钠长石45~50份、钛酸钡8~10份、氧化钛8~10份、钛酸铅1~3份、硫化镉1~3份、氧化锌1~3份。
4.一种半导体陶瓷，其特征在于：原料各组分的重量份为：
钾长石85份、钠长石45份、钛酸钡8份、氧化钛8份、钛酸铅3份、硫化镉3份、氧化锌3份。
5.一种半导体陶瓷，其特征在于：原料各组分的重量份为：
钾长石83份、钠长石42份、钛酸钡6份、氧化钛7份、钛酸铅4份、硫化镉4份、氧化锌4份。
6.一种半导体陶瓷，其特征在于：原料各组分的重量份为：
钾长石86份、钠长石46份、钛酸钡9份、氧化钛9份、钛酸铅2份、硫化镉2份、氧化锌1.5份。
7.一种半导体陶瓷的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
将所有原料粉碎，过100~150目筛后，混合均匀；800~830℃烧制15~20min后，在1000~1010℃烧制10~15min，冷却后，微粉碎，使晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下，即得成品。
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