[发明专利]一种高强度沉淀强化钴基单晶高温合金及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510850054.1 申请日: 2015-11-30
公开(公告)号: CN105296809A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 于金江;孙晓峰;石磊;金涛;孟杰;谢君 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C22C19/07 分类号: C22C19/07;C22C1/03;C22F1/10;C30B11/00;C30B29/52
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 许宗富;周秀梅
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 强度 沉淀 强化 钴基单晶 高温 合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高强度沉淀强化钴基单晶高温合金,其特征在于:按重量百分比计,该合金化学成分如下:

C0.05~0.9%,Cr3.0~9.0%,Al2.0~8.0%,Ti1.0~4.0%,Ta2.0~10.0%,W10.0~16.0%,Ni2.0~18.0%,Co为余量。

2.按照权利要求1所述的高强度沉淀强化钴基单晶高温合金,其特征在于:该钴基单晶高温合金中,4.0wt.%≤Al+Ti≤10.0wt.%。

3.按照权利要求1所述的高强度沉淀强化钴基单晶高温合金,其特征在于:该钴基单晶高温合金中,Cr含量为4.0~8.0%。

4.按照权利要求1所述的高强度沉淀强化钴基单晶高温合金,其特征在于:该钴基单晶高温合金中,Al与Ti的重量之比大于2.0:1。

5.按照权利要求1所述的高强度沉淀强化钴基单晶高温合金的制备方法,其特征在于:该方法首先在真空感应炉熔炼所需成分的母合金,然后采用定向凝固技术制备钴基单晶高温合金叶片或试棒;所述定向凝固技术中,单晶生长炉温度梯度范围为40~80K/cm,浇注温度为1480~1580℃,模壳温度与浇注温度保持一致,单晶生长速率为3~8mm/min。

6.按照权利要求5所述的高强度沉淀强化钴基单晶高温合金的制备方法,其特征在于:该钴基单晶高温合金的热处理制度如下:

(1)固溶均匀化处理:在1290~1315℃保温4~12小时,随后进行空冷至室温;

(2)高温时效处理:在900~1100℃保温20~40小时,随后进行空冷至室温;

(3)低温时效处理:在700~900℃保温10~30小时,随后进行空冷至室温。

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