[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201510860702.1 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105280633B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 李强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,以扫描线(2)的图案为掩模版,对衬底基板(1)进行干蚀刻,在衬底基板(1)与扫描线(2)的爬升斜坡(21)的相交处形成一过渡斜坡(13),数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2),相比于现有技术,能够使得在数据线与扫描线交叉处,数据线及绝缘层的爬坡较平缓,从而能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题,保证TFT阵列基板的质量。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展,平面显示器件因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light EmittingDisplay,OLED)。
液晶显示器件和有机发光二极管显示器件都包括薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)阵列基板,所述TFT阵列基板通常包括:衬底基板、若干条平行设置在所述衬底基板上的水平扫描线,若干条平行设置在所述衬底基板上与水平扫描线决绝交叉的竖直数据线,所述数据线与扫描线在空间相交界定出若干像素单元。所述像素单元内设有TFT,通过扫描线向TFT传输扫描信号,数据线向TFT传输数据信号,实现对像素单元的控制。
在TFT阵列基板结构中,数据线与扫描线呈现十字交叉分布,不可避免的存在交叉点。请参阅图1,图1为数据线与扫描线交叉点处的剖面图,该处结构包括:设于衬底基板10上的扫描线M1、设于扫描线M1上的绝缘层20、设于绝缘层20上的数据线M2。绝缘层20与数据线M2在翻过扫描线M1时会形成倾斜直线式的爬坡结构30,在扫描线M1与绝缘层20的相交处、以及数据线M2与绝缘层20的相交处会形成尖端31,由于扫描线M1与数据线M2在工作时均带电,此时,在尖端31处容易出现静电击伤,击穿绝缘层20,使得扫描线M1与数据线M2短路,导致显示面板的画面显示异常。由于在物理学中,带电的物体曲率越大(越尖)的区域电荷密度越高,越容易与其它与自身带相反电荷的物体发生静电释放,造成静电击伤,请同时参阅图1、图2与图3,并将三图进行对比,绝缘层20与数据线M2翻过扫描线M1的爬坡结构30的坡度越陡,即扫描线M1的侧壁与衬底基板10形成的夹角越大,绝缘层20与数据线M2位于扫描线M1的侧壁上的膜厚越薄;在扫描线M1的侧壁与衬底基板10形成的夹角达到或接近90°时会直接导致绝缘层20与数据线M2断裂,数据信号无法写入,影响显示面板的正常工作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板,能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题,保证TFT阵列基板的质量。
本发明的目的还在于一种TFT阵列基板的制作方法,通过该方法制得的TFT阵列基板能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题,提升TFT阵列基板的制程良率,保证TFT阵列基板的质量。
为实现上述目的,本发明提供一种TFT阵列基板,包括衬底基板、设于所述衬底基板上的数条平行排列的扫描线、覆盖所述数条扫描线及衬底基板的绝缘层、及设于所述绝缘层上的数条平行排列的数据线;所述数据线与扫描线在空间上垂直交叉;
所述衬底基板包括:与所述扫描线的直接接触的第一部分、及与绝缘层直接接触的第二部分,所述衬底基板的第一部分的上表面高于第二部分的上表面,所述第一部分与第二部分通过过渡斜坡相连;
所述扫描线的两侧面分别相对于所述衬底基板的第一部分的上表面倾斜,形成爬升斜坡;
所述数据线及绝缘层经由该过渡斜坡、与爬升斜坡翻过扫描线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510860702.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的