[发明专利]NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法

权利要求书

1.一种NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，其特征在于，包括以下步骤：

在NAND Flash存储器写入数据之后，判断写入数据所在数据块是否被写满，以及判断所述数据块是否属于高磨损块；

如果所述数据块被写满且属于高磨损块，则对所述数据块进行标记，并记录数据更新时间；

在数据保存期间，查询被标记的数据块上一次数据加重操作的实施时间，并判断所述实施时间是否达到预设时间间隔；以及

如果所述实施时间达到所述预设时间间隔，则对所述被标记的数据块进行数据加重，并更新数据加重操作实施时间。

2.如权利要求1所述的NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，其特征在于，通过以下方式判断所述数据块是否属于高磨损块：

通过对所述数据块所经历的编程/擦写次数计数判断；或者

向所述数据块写入已知数据，通过对数据错误率的测定判断；或者

在经历已知保持时间之后，通过对所述数据块的数据错误率的测定判断。

3.如权利要求2所述的NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，其特征在于，通过以下任意一种方法对所述被标记的数据块进行数据加重：

通过读取-重写的方法对所述被标记的数据块进行数据加重；

通过数据页刷新的方法对所述被标记的数据块进行数据加重；

通过字线编程串扰的方法对所述被标记的数据块进行数据加重；

通过读串扰的方法对所述被标记的数据块进行数据加重。

4.如权利要求3所述的NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，其特征在于，其中，所述NAND Flash存储器为MLC NAND Flash存储器，通过读取-重写的方法对所述被标记的数据块进行数据加重，具体包括：

S10，读取所述被标记的数据块中的所有LSB页数据；

S11，将所述LSB页数据回写至所述被标记的数据块中相对应的LSB数据页中，其中，在所述LSB页数据回写时，诱发所述NAND Flash存储器的浮栅电荷注入以实现浮栅电荷预补偿；以及

重复步骤S10-S11，直至达到第一预设次数。

5.如权利要求3所述的NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，其特征在于，其中，所述NAND Flash存储器为SLC NAND Flash存储器，通过读取-重写的方法对所述被标记的数据块进行数据加重，具体包括：

S12，读取所述被标记的数据块中的所有的页数据；

S13，将所述页数据回写至所述被标记的数据块中相对应的数据页中，其中，在页数据回写时，诱发NAND Flash存储器的浮栅电荷注入以实现浮栅电荷预补偿；以及

重复步骤S12-S13，直至达到第二预设次数。

6.如权利要求3所述的NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，其特征在于，其中，所述NAND Flash存储器为MLC NAND Flash存储器，通过数据页刷新的方法对所述被标记的数据块进行数据加重，具体包括：

读取所述被标记的数据块中的所有LSB页数据；

对所述LSB页数据进行ECC解码；

如果ECC解码成功，将所述LSB页数据回写至所述被标记的数据块中相对应的LSB数据页中，且重复回写操作，直至回写次数达到第三预设次数。

7.如权利要求3所述的NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，其特征在于，其中，所述NAND Flash存储器为SLC NAND Flash存储器，通过数据页刷新的方法对所述被标记的数据块进行数据加重，具体包括：

读取所述被标记的数据块中的所有页数据；

对所述页数据进行ECC解码；

如果ECC解码成功，将所述页数据回写至所述被标记的数据块中相对应的数据页中，且重复回写操作，直至回写次数达到第四预设次数。