[发明专利]一种含有苯并呋喃的负介电各向异性液晶组合物及其应用有效
申请号: | 201510934911.6 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN106883865B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 陈卯先;陈海光;姜天孟;储士红;王杰;未欣;郭云鹏;田会强;苏学辉;伍嘉琦;谭小玉 | 申请(专利权)人: | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C09K19/44 | 分类号: | C09K19/44;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君 |
地址: | 102500 北京市房山区燕山东风街道*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负介电各向异性液晶 液晶组合物 苯并呋喃 类化合物 直链烷基 向列相液晶组合物 介电各向异性 液晶显示技术 极性单体 旋转粘度 环己基 亚苯基 通式I 反式 应用 | ||
本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种含有苯并呋喃的负介电各向异性液晶组合物。所述向列相液晶组合物至少包含一种通式I所代表的化合物:R1、R2各自独立地代表C1~C12的直链烷基,其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH=CH所取代;以及至少包含一种通式II的化合物:R3、R4各自独立地代表C1~C12的直链烷基,其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH=CH所取代;A1、A2各自独立地代表反式1,4‑环己基或1,4‑亚苯基。本发明所提供的液晶组合物通过添加第I类化合物增加介电各向异性,以此减少极性单体使用,增加第II类化合物使用,达到降低液晶组合物旋转粘度的目的。
技术领域
本发明涉及一种液晶组合物,具体地说是一种向列相液晶组合物,确切地说,本发明所提供的液晶组合物具有负的介电各向异性及更快的响应时间。
背景技术
目前,液晶在信息显示领域得到了广泛应用,同时在光通讯中的应用也取得了一定的进展(S.T.Wu,D.K.Yang.Reflective Liquid Crystal Displays.Wiley,2001)。近几年,液晶化合物的应用领域已经显著拓宽到各类显示器件、电光器件、电子元件、传感器等,向列型液晶化合物已经在平板显示器中得到最为广泛的应用,特别是用于TFT有源矩阵的系统中。液晶显示伴随液晶的发现经历了漫长的发展道路。1888年奥地利植物学家Friedrich Reinitzer发现了第一种液晶材料安息香酸胆固醇(cholesteryl benzoate)。1917年Manguin发明了摩擦定向法,用以制作单畴液晶和研究光学各向异性。1909年E.Bose建立了攒动(Swarm)学说,并得到L.S.Ormstein及F.Zernike等人的实验支持(1918年),后经De Gennes论述为统计性起伏。G.W.Oseen和H.Zocher在1933年创立连续体理论,并得到F.C.Frank完善(1958年)。M.Born(1916年)和K.Lichtennecker(1926年)发现并研究了液晶的介电各向异性。1932年,W.Kast据此将向列相分为正、负性两大类。1927年,V.Freedericksz和V.Zolinao发现向列相液晶在电场或磁场作用下,发生形变并存在电压阈值(Freederichsz转变)。这一发现为液晶显示器的制作提供了依据。
1968年美国RCA公司R.Williams发现向列相液晶在电场作用下形成条纹畴,并有光散射现象。G.H.Heilmeir随即将其发展成动态散射显示模式,并制成世界上第一个液晶显示器(LCD)。七十年代初,Helfrich及Schadt发明了TN原理,人们利用TN光电效应和集成电路相结合,将其做成显示器件(TN-LCD),为液晶的应用开拓了广阔的前景。七十年代以来,由于大规模集成电路和液晶材料的发展,液晶在显示方面的应用取得了突破性的发展,1983~1985年T.Scheffer等人先后提出超扭曲向列相(Super Twisred Nematic:STN)模式以及P.Brody在1972年提出的有源矩阵(Active matrix:AM)方式被重新采用。传统的TN-LCD技术已发展为STN-LCD及TFT-LCD技术,尽管STN的扫描线数可达768行以上,但是当温度升高时仍然存在着响应速度、视角以及灰度等问题,因此大面积、高信息量、彩色显示大多采用有源矩阵显示方式。TFT-LCD已经广泛用于直视型电视、大屏幕投影电视、计算机终端显示和某些军用仪表显示,相信TFT-LCD技术具有更为广阔的应用前景。其中“有源矩阵”包括两种类型:1、在作为基片的硅晶片上的OMS(金属氧化物半导体)或其它二极管。2、在作为基片的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。单晶硅作为基片材料限制了显示尺寸,因为各部分显示器件甚至模块组装在其结合处出现许多问题。因而,第二种薄膜晶体管是具有前景的有源矩阵类型,所利用的光电效应通常是TN效应。TFT包括化合物半导体,如Cdse,或以多晶或无定形硅为基础的TFT。
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