[发明专利]一种离子源磁场分布结构在审
| 申请号： | 201510966434.1 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105441889A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘野;刘晓华;马槽伟 | 申请（专利权）人： | 大连维钛克科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01J37/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116113 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子源 磁场 分布 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子源磁场分布结构，其特征在于，包括外磁钢（1）、阳极（2）、靶材（3）、内磁钢（4）、磁钢座（5）、阴极（6）和靶座（7）构成。
2.根据权利要求1所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述外磁钢（1）及内磁钢（4）安装于磁钢座（5）内部，整体安装于靶座（7）上，所述靶材（3）安装于磁钢座（5）上。
3.根据权利要求1或2所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述阴极（6）充入冷却水冷却磁钢及靶材（3），同时通入负电压。
4.根据权利要求1或2所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述阳极（2）通入正电压且与阴极（6）绝缘，同时通入气体。
5.根据权利要求1所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述阴极（6）为纯铁或纯石墨，所述纯石墨的内外阴极狭缝为直边。
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