[发明专利]一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置，其包括步骤：沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由纳米氧化物和空穴注入层材料混合制备而成；沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；沉积一量子点发光层于空穴传输层上；依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。本发明将纳米金属氧化物掺入空穴注入层材料，利用无机金属氧化物的稳定性和纳米材料的高的比表面积和空穴注入层材料良好的导电性制备了QLED器件，这种结合既保证QLED器件具有优异的性能，又提高QLED器件稳定性和寿命。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置。

背景技术

量子点（quantum dot）具有独特的光学特点：尺寸可调的发光光谱、窄的发射光谱、高的发光效率等特点。量子点的这些优异的性能和特点，使其成为了下一代平板技术的极好的选择。量子点发光二极管（Quantum dot-based lightemitting diodes）在最新的研究成果中已经表现出优异的器件性能，QLED在色饱和度、稳定性和成本上与传统的LED和OLED(有机发光二管)相比也表现出了很好的竞争优势。到目前为止，QLED器件在某些方面的性能还是略低于OLED，所以仍需继续研究和优化。

在目前的QLED器件中，最常用的阳极修饰层是聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（poly(3，4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT/PSS)），其具有很多优异的性能：高的透光率、高的功函数、平整的形貌和良好的导电性。然而PEDOT:PSS本身也具有一些对器件稳定性不利的一些特性：酸性和易吸水性等。为了解决这些问题，无机材料，比如：V₂O₅，WO₃, NiO和MoO₃，开始有人们研究用来替代PEDOT:PSS。在这其中MoO₃因其具有无毒、比较深的能级结构、宽带隙等特点使其成为良好的电子阻挡层。此外氧化钼也可以作为掺杂剂来提高LED的性能。然而其大多是通过真空热沉积的方法来制备，这与低廉的卷对卷和溶液法制备是不相符的。因此需要找到一种简单的溶液方法来制备氧化钼。

2012年专利号为CN102610725A中使用了二（乙酰丙酮）氧化钼作为前驱体，通过高温加热制备得到氧化钼薄膜，通过其实施例可以发现其所用的反应温度均为150℃。

2014年12月曾蓉等人在萍乡高等专科学报上发表《溶液法制备氧化钼应用于柔性有机太阳能》的文章公开了制备氧化钼的方法，主要合成方法为四水钼酸铵作为原料通过加热制备出前驱体溶液，并通过加热的方法制备得到氧化钼和PEDOT的混合液。

2013年孙公权等人申请的专利号为CN104709882A中使用金属盐后加入含有氨基基团的小分子碱或者碱性溶液，然后在油浴锅中加热回流至生成固体，然后对固体进行沉淀、过滤、洗涤、干燥等得到金属氧化物。这上面等等的例子都有报道合成氧化钼或者氧化物，但是这些方法都存在以下问题：

（1）没有制备得到金属纳米粒子，而是其前躯体溶液；

（2）有制备金属氧化物纳米粒子，但是其反应过程复杂，用到碱或者有机试剂等；更重要的是这些纳米氧化钼他们并没有应用到器件中；

（3）这些合成过程都会产生对环境不友好的副产物；

（4）碱性溶液不利于PEDOT:PSS的稳定性，由于PEDOT:PSS本身就是酸性溶液，碱性溶液与其混合会发生反应。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容