[发明专利]一种抗PID效应的新型太阳能光伏组件有效
| 申请号： | 201511019632.3 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105470336B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 雷红;尹忠萍;徐小伟 | 申请（专利权）人： | 江苏宇兆能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司11278 | 代理人： | 李延容 |
| 地址： | 215431 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pid 效应 新型 太阳能 组件 | ||
1.一种太阳能光伏组件，其特征在于，其是依次层叠钢化玻璃基板、第二封装层、太阳能电池串组、第一封装层、以及太阳能背板而成的，所述太阳能电池串组由太阳能电池背场、硅片、扩散层、氮化硅层及钝化层依次层叠而成，所述太阳能电池背场设置于所述第一封装层上，所述第二封装层设置于所述钝化层上，
所述第一封装层和第二封装层均包括EVA层，所述EVA层厚度为0.30-0.60mm，
所述EVA层的两侧设置有第一粘结层和第二粘结层，
所述第一粘结层和第二粘结层相对于100重量份的EVA共聚物，含有1-30重量份硅氧烷接枝聚合物。
2.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述EVA层的厚度为0.45mm。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述硅片的厚度为150-200μm。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述扩散层为扩磷层，厚度为0.35-0.55μm。
5.根据权利要求1或2所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为75-80nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述钝化层为SiO2层，其厚度为4-5nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能光伏组件，其特征在于，所述第一和第二粘结层相对于100重量份的EVA共聚物，还含有过氧化物类交联剂0.4-2.0重量份、增粘剂0.1-1.5重量份、抗氧剂0.01-1.0重量份、改性剂0.05-1.0重量份。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
