[发明专利]一种抗PID效应的新型太阳能光伏组件有效
申请号: | 201511019632.3 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105470336B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 雷红;尹忠萍;徐小伟 | 申请(专利权)人: | 江苏宇兆能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司11278 | 代理人: | 李延容 |
地址: | 215431 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pid 效应 新型 太阳能 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能光伏组件,且特别涉及一种新型抗PID效应的太阳能光伏组件。
背景技术
单体太阳电池不能直接用作电源,当用作电源时必须将若干单体电池串、并联连接并严密封装成太阳能光伏组件。太阳能光伏组件(也叫太阳能电池板)是太阳能发电系统中的核心部分,其作用是将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作。太阳能光伏组件由下向上主要由钢化玻璃、EVA、电池片、EVA、玻璃纤维、背板等组成。
现实中无论采用何种手段,太阳能光伏组件都不可避免地受到雨水等的侵袭,水汽通过封边的硅胶或背板进入组件内部,EVA的酯键在遇到水之后发生如下的水解反应,产生可以自由移动的醋酸。
所产生的醋酸导致玻璃表面的碱发生反应,产生可以自由移动的Na+,该Na+在外加电场的作用下向电池片表面移动并富集到减反层而导致PID(电位诱导衰变)效应的产生。PID效应严重影响太阳能光伏组件的使用寿命,因此各国均展开了相关研究。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的发明人总结PID效应认为,其主要由具有以下几个过程:(1)水汽进入光伏组件;(2)EVA发生水解反应导致产生醋酸;(3)醋酸与玻璃表面析出的碱反应产生可以自由移动的钠离子;(4)Na+在电场的作用下移动到电池表面。
鉴于此,发明人提出以上述(2)和(3)为核心,通过以下技术方案有效改善了PID效应。
本发明的目的在于提供一种太阳能光伏组件。本发明提供的太阳能光伏组件,其中,其是依次层叠钢化玻璃基板、第二封装层、太阳能电池串组、第一封装层、以及太阳能背板而成的,其特征在于,所述太阳能电池串组由太阳能电池背场、硅片、扩散层、氮化硅层及钝化层依次层叠而成,所述太阳能电池背场设置于所述第一封装层上,所述第二封装层设置于所述钝化层上。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述第一封装层和第二封装层包括EVA层,所述EVA层厚度为0.30-0.60mm。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,在所述第一和第二封装层的所述EVA层的两侧进一步设置有第一粘结层和第二粘结层。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述第二封装层中的EVA层的厚度为0.45mm。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述硅片的厚度为150-200μm。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述扩散层为扩磷层,厚度为0.35-0.55μm。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述氮化硅层的厚度为75-80nm。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述钝化层为SiO2层,其厚度为4-5nm。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述第一和第二粘结层相对于100重量份的EVA共聚物,含有1-30重量份硅氧烷接枝聚合物。
根据本发明一个实施例,提供了一种太阳能光伏组件,其中,所述第一和第二粘结层相对于100重量份的EVA共聚物,还含有过氧化物类交联剂0.4-2.0重量份、增粘剂0.1-1.5重量份、抗氧剂0.01-1.0重量份、改性剂0.05-1.0重量份。
发明效果
本发明的太阳能光伏组件能够有效减少EVA因水汽的渗入发生水解产生醋酸,并有效抑制了Na+离子的移动,由此有效延缓了PID效应的发生发展过程,从而使太阳能光伏组件的使用寿命得到有效延长。
附图说明
图1为本发明的太阳能电池光伏组件的结构示意图;
图2为本发明的太阳能光伏组件的太阳能电池串组的结构示意图;
图3为第一和第二封装层的结构示意图。
附图标记说明
1、钢化玻璃基板;
2、第二封装层;
3、太阳能电池串组;
31、太阳能电池背场;
32、硅片;
33、扩散层;
34、氮化硅层;
35、钝化层;
4、第一封装层;
5、太阳能背板;
6、第一粘结层;
7、第二粘结层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的