[发明专利]一种PERC太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201511022501.0 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105470337A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 蒋建宝;李科伟 | 申请(专利权)人: | 无锡赛晶太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 214251 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
技术领域:
本发明涉及一种PERC太阳能电池及其制备方法,其属于光伏技术领域。
背景技术:
现有PERC太阳能电池的生产步骤一般包括清洗制绒、扩散制PN结、刻蚀和去PSG、双面钝化、激光开孔、丝网印刷、烧结。其中激光开孔是为了金属电极与硅片形成良好的接触,开孔的好坏直接影响到电池的填充因子,从而影响电池的转换效率。三氧化二铝为两性氧化物,与强酸和强碱都能反应,所以,可以通过化学腐蚀的方法进行开孔。同时,激光烧蚀在微加工方面的应用越来越广泛,也可以用作三氧化二铝开孔。
现有技术存在的问题和缺点:
化学腐蚀:掩膜湿法腐蚀法,步骤多,流程复杂,并且容易引入离子污染,废弃化学品容易对环境造成危害,而近期出现的浆料腐蚀法,在浆料中加入可以腐蚀三氧化二铝和氮化硅的成分,会对铝膜的平整度造成不良影响;
现有激光开孔技术:通过激光烧蚀,将三氧化二铝完全去除,难免对硅片表面造成损伤,形成缺陷中心,影响钝化效果。
发明内容:
本发明提供一种PERC太阳能电池及其制备方法,其在解决串联电阻的同时,最大限度的保证钝化效果。
本发明采用如下技术方案:一种PERC太阳能电池,包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅钝化层和银层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层,在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔,在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。
进一步地,所述开孔贯穿于背面氮化硅钝化层后延伸至氧化铝钝化层中。
本发明还采用如下技术方案:一种PERC太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、在硅片的上表面镀正面氮化硅钝化层,在硅片的下表面镀氧化铝钝化层,在氧化铝钝化层的下表面镀背面氮化硅钝化层;
步骤2、在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔,其中开孔贯穿于背面氮化硅钝化层后延伸至氧化铝钝化层中,且开孔不打穿氧化铝钝化层;
步骤3、在硅片的上表面上印刷银浆形成银层,在背面氮化硅钝化层上印刷铝浆形成铝层,其中铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。
本发明具有如下有益效果:本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔,孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层,然后印刷铝浆,通过烧结工艺,铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金,形成良好的欧姆接触。
附图说明:
图1为本发明PERC太阳能电池的结构图。
具体实施方式:
请参照图1所示,本发明PERC太阳能电池包括硅片1、位于硅片1上表面的正面氮化硅钝化层2和银层3、位于硅片1下表面的氧化铝钝化层4、位于氧化铝钝化层4下表面的背面氮化硅钝化层5,在背面氮化硅钝化层5上间隔开设有若干个开孔6,在开孔6中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层4后与硅片1形成铝硅合金的铝层7。
其中开孔6贯穿于背面氮化硅钝化层5后延伸至氧化铝钝化层4中,且开孔6不打穿氧化铝钝化层4。
本发明PERC太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、在硅片1的上表面镀正面氮化硅钝化层2,在硅片1的下表面镀氧化铝钝化层4,在氧化铝钝化层4的下表面镀背面氮化硅钝化层5;
步骤2、在背面氮化硅钝化层5上通过激光开孔方式开孔,其中开孔贯穿于背面氮化硅钝化层5后延伸至氧化铝钝化层4中,且开孔不打穿氧化铝钝化层4;
步骤3、在硅片1的上表面上印刷银浆形成银层3,在背面氮化硅钝化层5上印刷铝浆形成铝层7,其中铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层4后与硅片1形成铝硅合金。
本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔,孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层,然后印刷铝浆,通过烧结工艺,铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金,形成良好的欧姆接触。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下还可以作出若干改进,这些改进也应视为本发明的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的