[实用新型]一种双通道IQ调制器与DAC接口装置有效
申请号: | 201520264617.4 | 申请日: | 2015-04-29 |
公开(公告)号: | CN204615761U | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 薛文英 | 申请(专利权)人: | 苏州华徕光电仪器有限公司 |
主分类号: | H03D3/00 | 分类号: | H03D3/00;H04B10/69 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215153 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双通道 iq 调制器 dac 接口 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种双通道IQ调制器与DAC接口装置,属于电路技术领域。
背景技术
目前,IQ调制器与DAC对接,常因偏置电平不同、信噪比不同,而无法实现良好匹配。如何利用最少元件实现双通道IQ调制器与DAC的对接,并减少电压摆幅,且不影响分辨率是要解决的问题。
实用新型内容
目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种双通道IQ调制器与DAC接口装置。
技术方案:为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种双通道IQ调制器与DAC接口装置,包括高速DAC模块、IQ调制器模块、接地电阻、偏置电阻,所述高速DAC模块引脚包括:OUT1_P、OUT1_N、OUT2_P、OUT2_N,所述IQ调制器模块引脚包括:IBBP、IBBN、QBBP、QBBN,所述OUT1_P与IBBP相连接,OUT1_N与IBBN相连接,OUT2_P与QBBP相连接, OUT2_N 与QBBN相连接;所述OUT1_P与IBBP之间、OUT1_N与IBBN之间、OUT2_P与QBBP之间、 OUT2_N 与QBBN之间均并联有接地电阻;所述IBBP与IBBN之间串联有偏置电阻,所述QBBP与QBBN之间串联有偏置电阻。
还包括电容,所述IBBP与IBBN之间串联有电容,所述QBBP与QBBN之间串联有电容。
作为优选方案,所述接地电阻设置为50欧。
作为优选方案,所述偏置电阻设置为100欧。
作为优选方案,所述高速DAC模块采用AD9779。
作为优选方案,所述IQ调制器模块采用ADL5375。
有益效果:本实用新型提供的一种双通道IQ调制器与DAC接口装置,采用ADL5372与AD9779相同偏置电平和相似的高信噪比,来实现良好匹配;采用接地电阻来调整DAC摆幅;采用偏置电阻来控制电压摆幅;采用并联电容对大面积接地层去耦。适用于零中频应用,如提供LVDS接口、高分辨率复合中频输入。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
如图1所示,一种双通道IQ调制器与DAC接口装置,包括高速DAC模块1、IQ调制器模块2、接地电阻3、偏置电阻4,所述高速DAC模块1引脚包括:OUT1_P、OUT1_N、OUT2_P、OUT2_N,所述IQ调制器模2块引脚包括:IBBP、IBBN、QBBP、QBBN,所述OUT1_P与IBBP相连接,OUT1_N与IBBN相连接,OUT2_P与QBBP相连接, OUT2_N 与QBBN相连接;所述OUT1_P与IBBP之间、OUT1_N与IBBN之间、OUT2_P与QBBP之间、 OUT2_N 与QBBN之间均并联有接地电阻3;所述IBBP与IBBN之间串联有偏置电阻4,所述QBBP与QBBN之间串联有偏置电阻4。
还包括电容5,所述IBBP与IBBN之间串联有电容5,所述QBBP与QBBN之间串联有电容5。
作为优选方案,所述接地电阻3设置为50欧。
作为优选方案,所述偏置电阻4设置为100欧。
作为优选方案,所述高速DAC模块1采用AD9779。
作为优选方案,所述IQ调制器模块2采用ADL5375。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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