[实用新型]一种带有失效分析测试金球的CSP封装件有效
申请号: | 201520340197.3 | 申请日: | 2015-05-24 |
公开(公告)号: | CN204706551U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 闫世亮 | 申请(专利权)人: | 上海北芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;G01R31/26 |
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地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 失效 分析 测试 csp 封装 | ||
技术领域
本实用新型涉及CSP封装件失效分析测试,尤其涉及一种带有失效分析测试金球的CSP封装件。
背景技术
CSP类型的sample由于PAD面积占芯片整片面积比较大的一部分,加之工艺技术的进步,金属层数变多,在做IC芯片失效分析测试的时候,无法给IC芯片供电。
实用新型内容
鉴于目前CSP封装件失效分析测试存在上述不足,本实用新型提供一种带有失效分析测试金球的CSP封装件,就可以实现在对IC芯片做失效分析的时候,可以对IC芯片通电。
为达到上述目的,本实用新型的采用如下技术方案:
一种带有失效分析测试金球的CSP封装件,所述CSP封装件为IC芯片,所述IC芯片包括电子元器件层、测试金球和封装层,所述电子元器件层封装在所述封装层内,所述电子元器件层具有突出在所述封装层外的锡球,所述锡球与所述电子元器件层中的电子元件相连,所述锡球与所述测试金球相连。
作为本实用新型的优选技术方案,所述锡球通过金线与所述电子元器件层中的电子元件相连。
作为本实用新型的优选技术方案,所述测试金球通过金线与所述电子元器件层中的电子元件相连。
作为本实用新型的优选技术方案,所述锡球通过焊点的方式与所述测试金球相连。
作为本实用新型的优选技术方案,所述测试金球与外接电源相连。
本实用新型实施的优点:1、在IC芯片做失效分析时,由于锡球封装在封装层,无法实现通电,通过先将锡球磨平,再通过焊接的方式连接一个测试金球在锡球上,之后通过焊接方式将金线拉到测试金球上,就可以实现在对IC芯片做失效分析测试的时候,IC芯片可以实现通电,方便了对IC芯片做失效分析测试。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型所述一种带有失效分析测试金球的CSP封装件的背面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,一种带有失效分析测试金球的CSP封装件,CSP封装件为IC芯片1,所述IC芯片1包括电子元器件层2和封装层3,所述电子元器件层2封装在所述封装层3内,所述电子元器件层2具有突出在所述封装层3外的锡球4,所述锡球4与所述电子元器件层2中的电子元件相连,所述锡球4与所述测试金球5相连,在IC芯片1做失效分析时,由于锡球4封装在封装层3,无法实现通电,通过先将锡球4磨平,再通过焊接的方式连接一个测试金球5在锡球4上,就可以实现在对IC芯片1做失效分析测试的时候,IC芯片1可以实现通电,方便了对IC芯片1做失效分析测试。
在本实施例中,锡球4通过金线6与电子元器件层2中的电子元件相连,测试金球5通过金线6与电子元器件层2中的电子元件相连相连,通过金线6可以方便对IC芯片进行通电。
在本实施例中,锡球4通过焊点的方式与测试金球5相连,通过焊点方式连接,在对IC芯片做失效分析测试的时候,方便快捷。
在本实施例中,测试金球5通过金线与外接电源相连,可以通过外接电源来对IC芯片进行通电。
以下举出一个具体的实施例来进一步阐述本实用新型,但是不限于本实施例。
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