[实用新型]应用于离子束刻蚀系统的基片承载装置有效
申请号: | 201520358823.1 | 申请日: | 2015-05-29 |
公开(公告)号: | CN204720414U | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 戴秀海;余海春;龙汝磊 | 申请(专利权)人: | 光驰科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/20 | 分类号: | H01J37/20 |
代理公司: | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人: | 徐小蓉 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 离子束 刻蚀 系统 承载 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及微细加工技术领域,尤其是应用于离子束刻蚀系统的基片承载装置。
背景技术
离子束刻蚀技术是一种在真空条件下利用离子束对样品进行微细加工的技术,主要包括硬件和软件两部分,硬件部分是离子束刻蚀装置的设计和制造,软件部分是指对已有设备的刻蚀情况进行研究,得到更好的刻蚀结果。现有离子束刻蚀系统的载物台均为单层载物台设计,具单层载物台的离子束刻蚀系统单机生产能力不足,批量作业时刻蚀系统开停机频繁、刻蚀系统时间稼动率低下,生产工时长,由此造成离子束刻蚀系统利用率及产能低下,提高了生产成本。
发明内容
本实用新型的目的是根据上述现有技术的不足,提供了应用于离子束刻蚀系统的基片承载装置,通过可旋转的多层载物台带动基片来对准离子束依次进行刻蚀,提高刻蚀系统时间稼动率、产能,缩短生产工时,降低了生产成本。
本实用新型目的实现由以下技术方案完成:
一种应用于离子束刻蚀系统的基片承载装置,其特征在于:所述装置包括旋转轴和至少两个载物台,所述载物台沿所述旋转轴的轴向间隔设置在所述旋转轴上,所述载物台可随所述旋转轴转动,所述载物台上开设有离子束窗口。
所述离子束窗口的轮廓形状、大小与承载于所述载物台上的基片的形状、大小吻合适配。
本实用新型的优点是:提高了离子束刻蚀系统单次开机所能刻蚀的基片总数量,降低了批量作业时离子束刻蚀系统的开停机次数,提高了离子束刻蚀系统利用率,减少了工时,满足刻蚀工作需要;同时也减少了因反复开停机对配套真空系统的不利影响,延长了真空系统的工作寿命,降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型在离子束刻蚀机中的正视图;
图2为图1的左视图;
图3为本实用新型的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图通过实施例对本实用新型特征及其它相关特征作进一步详细说明,以便于同行业技术人员的理解:
如图1-3所示,图中标记1-7分别表示为:真空室1、离子源2、载物台3、旋转轴4、电动机5、离子束窗口6、修正板7。
实施例:如图1和图2所示,本实施例中应用于离子束刻蚀系统的基片承载装置设置在真空室1内部,真空室1内部设置有离子源2,离子源2用于对基片承载装置上所承载的基片进行刻蚀。基片承载装置包括若干载物台3和旋转轴4,若干载物台3沿旋转轴4的轴向间隔设置在旋转轴4上,且每个载物台3均可随旋转轴4独立转动。载物台3随旋转轴4转动的作用有两个,其一是使得均布在载物台3上的基片可依次转动并对准离子源2,以完整离子束刻蚀,其二是使位于上一层的载物台3所承载的基片在刻蚀完之后,将离子束窗口6对准离子源2,以离子源2可穿过上一层载物台3的离子束窗口6后对下一层载物台3所承载的基片进行离子束刻蚀。电动机5连接驱动旋转轴4转动。修正板7位于载物台3的上方,用于对离子束进行修正。
如图3所示,载物台3上开设有离子束窗口6,离子束窗口6轮廓的形状、大小与承载在载物台3上的基片轮廓形状、大小吻合适配。离子束窗口6的作用在于,使离子源2可通过离子束窗口6穿过上一层载物台3而对位于下一层载物台3上所承载的基片进行刻蚀;以此类推,完成若干层载物台3上的基片的离子束刻蚀。修正板7上亦开设有用于修正离子束的离子束窗口,该离子束窗口轮廓的形状、大小根据离子束所需的修正设计进行设置。
本实施例在具体实施时:修正板7设置在真空室1内部且保持静态,其板体上开设的离子束窗口与离子源2的设置位置保持位置对应,即保证离子源2穿过开设在修正板7上用于修正的离子束窗口。
在修正板7下依次是沿旋转轴4轴向高度方向的第一层载物台、第二层载物台,及至第N载物台;载物台3均为圆形平板状,在第一层至第(n-1)层的载物台上均开有离子束窗口6,而第n层载物台为一完整的圆形平板状,不设离子束窗口。第一层载物台、第二载物台及至第n层载物台可一同随旋转轴4旋转,亦可独立随转轴旋转。当多层载物台一同随旋转轴4旋转时,其旋转方式可以为逐层增加式,也可以为逐层递减。在逐层递减时,最开始的旋转状态为若干载物台一同旋转,即在刻蚀第一层载物台上的基片时,下方的载物台随第一层载物台一齐旋转。当第一层载物台上的基片全部刻蚀完毕后,第一层载物台停止,其停止位置满足于离子束穿过第一层载物台上的离子束窗口。此时,第二层载物台及其下方的载物台继续旋转,第二层载物台上的基片进行刻蚀;以此往复,逐渐递减,完成每层载物台上的基片的刻蚀。
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