[实用新型]一种小尺寸石墨烯的场发射结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及薄膜半导体领域，具体涉及一种小尺寸石墨烯的场发射结构。

背景技术

场致电子发射(场发射)薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景，引起了人们广泛的关注与研究兴趣。中国专利CN102103953A等对石墨烯场发射结构有深入的研究，石墨烯可以作为良好的场发射材料使用。长期以来，人们的石墨烯的改性多集中在，增大单晶面积降低石墨烯缺陷上。

然而，2013年发表在CARBON杂志的文献：Correlation between topographic structures and local field emission characteristics of graphene-sheet films.证实了：小尺寸石墨烯的场发射性能优于大面积石墨烯结构。

实用新型内容

本实用新型为了提高设备的长发射效率，设计了一种小尺寸石墨烯的场发射结构。

一种小尺寸石墨烯的场发射结构，包括阳极和阴极，其特征在于：所述结构的阴极由石墨烯片和衬底组成。

所述石墨烯片为小尺寸结构，所述结构沉积在衬底上表面。

本实用新型有益效果：小尺寸石墨烯结构能够产生几何增强场，提高场发射效率。

附图说明

图1为本实用新型结构图

具体实施方式

如图1所示，阴极包括石墨烯片1和衬底2，所述石墨烯片1为小尺寸结构，所述结构沉积在衬底2上表面。阴极与阳极3之间有电势差，石墨烯片1产生的电子在电势差的作用下轰击阳极3。