[实用新型]一种可单端信号和差分信号输入的宽带混频器有效
申请号: | 201520525517.2 | 申请日: | 2015-07-20 |
公开(公告)号: | CN204794908U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 刘宝宏;张海 | 申请(专利权)人: | 南昌工程学院 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14;H03D7/16 |
代理公司: | 南昌佳诚专利事务所 36117 | 代理人: | 闵蓉 |
地址: | 330099 江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可单端 信号 输入 宽带 混频器 | ||
1.一种可单端信号和差分信号输入的宽带混频器,其特征是包括射频跨导放大器级、本振开关级、中频输出级、反馈环路LP1;
本宽频带混频器的本振信号和中频输出信号都为差分信号,射频输入信号既可为单端口信号也可为差分信号;其中,中频输出信号端口为IF+和IF-,本振信号端口为LO+和LO-;射频信号为单端口输入信号时,其输入端口为RF+或RF-;射频信号为差分输入信号时,其输入端口为RF+和RF-;另,设六个节点分别为第1、2、3、4、5、和6节点;
射频率跨导放大器级由NMOS晶体管M1和M2构成;射频输入端口RF+接于第1节点,射频输入端口RF-接于第2节点,晶体管M1的源级和第1节点相连,M1的栅极接于第3节点,晶体管M2的源级接于第2节点,晶体管M2的栅极接于第4节点;
本振动开关级由NMOS晶体管M3、M5、M4和M6构成;晶体管M3的漏极和晶体管M5的漏极都连接到中频输出信号端口IF+,晶体管M4的漏极和晶体管M6的漏极都连接到中频输出信号端口IF-,晶体管M3的栅极和晶体管M6的栅级都连接到本振信号端口LO+,晶体管M4的栅极和晶体管M5的栅级都连接到本振信号端口LO-;
中频输出级由两个负载阻抗Z1和Z2构成,第一负载阻抗Z1的两端分别接于中频输出信号端口IF+和供电电源VCC,第二负载电阻Z2的两端分别接于中频输出信号端口IF-和供电电源VCC;
射频输入信号经跨导放大级放大后和本振信号相混频,产生中频电流信号,中频电流信号通过负载阻抗在输出端口产生中频电压信号;
反馈环路LP1由反馈电容C1和C2构成,电容C1两端分别接于第3节点和第2节点,电容C2两端分别接于第1节点和第4节点。
2.根据权利要求1所述的一种可单端信号和差分信号输入的宽带混频器,其特征是所述的负载阻抗Z1和Z2是电阻、电感、电容或晶体管;或者是由电阻、电感、电容或晶体管中的两个或多个组合实现。
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